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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6111HA2B-024.0000T Microchip Technology DSC6111HA2B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HA2B-024.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6111JL2B-008.0000 Microchip Technology DSC6111JL2B-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JL2B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6111MI2B-006.1679T Microchip Technology DSC6111MI2B-006.1679T -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 6.1679 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111MI2B-006.1679T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6301CI2BA-024.0000T Microchip Technology DSC6301CI2BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6301CI2BA-024.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6301HA1FB-020.0000T Microchip Technology DSC6301HA1FB-020.0000T -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HA1FB-020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC6311CI2BA-024.0000 Microchip Technology DSC6311CI2BA-024.0000 -
RFQ
 ECAD 4917 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6311CI2BA-024.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6311JL2BB-027.0000 Microchip Technology DSC6311JL2BB-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JL2BB-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6331CI2BA-008.0040 Microchip Technology DSC6331CI2BA-008.0040 -
RFQ
 ECAD 3360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8.004 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6331CI2BA-008.0040 귀 99 8542.39.0001 110 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6331JA2IB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JA2IB-025.0000 -
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2IB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -1.00%, 00 확산 -
DSC6331JI2BB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI2BB-025.0000 -
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2BB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSA1101DA1-004.0000TVAO Microchip Technology DSA110111DA1-004.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 4 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-004.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001BI2-099.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-099.0000T -
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 99MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI2-099.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CE2-013.5600 Microchip Technology DSC1001CE2-013.5600 -
RFQ
 ECAD 4765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 13.56 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE2-013.5600 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CL5-064.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-064.0000 -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL5-064.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1004BI5-005.0000 Microchip Technology DSC1004BI5-005.0000 -
RFQ
 ECAD 8583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004BI5-005.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1101CL2-026.0000 Microchip Technology DSC1101CL2-026.0000 -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 26 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CL2-026.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1101DI5-125.0000T Microchip Technology DSC1101DI5-125.0000T -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111DI5-125.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1101DL1-020.0000T Microchip Technology DSC1101DL1-020.0000T -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111-020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1101NI2-025.0000T Microchip Technology DSC1101NI2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101NI2-025.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1102AI5-160.0000 Microchip Technology DSC1102AI5-160.0000 -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1102 160MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1102AI5-160.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1121AI5-008.0000T Microchip Technology DSC1121AI5-008.0000T -
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI5-008.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1122DL1-072.0000T Microchip Technology DSC1122DL1-072.0000T -
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 72 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122DL1-072.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1122NI5-200.0000T Microchip Technology DSC1122NI5-200.0000T -
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 200MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122NI5-200.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1201BL3-11M05920 Microchip Technology DSC1201BL3-11M05920 -
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 11.0592 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC120123-11M05920 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1202NE2-156M2600 Microchip Technology DSC1202NE2-156M2600 -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1202 156.26 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202NE2-156M2600 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1202NE2-156M2600T Microchip Technology DSC1202NE2-156M2600T -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1202 156.26 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202NE2-156M2600T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1203CI3-133M3300 Microchip Technology DSC1203CI3-133M3300 -
RFQ
 ECAD 7849 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1203 133.33 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203CI3-133M300 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1203NI1-100M0000 Microchip Technology DSC1203NI1-100M0000 2.2600
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1203 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NI1-100M0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC1204NL3-122M8800 Microchip Technology DSC1204NL3-122M8800 -
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1204 122.88 MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1204NL3-122M8800 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1222CI2-125M0000T Microchip Technology DSC1222CI2-125M0000T -
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1222 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222CI2-125M0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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