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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
HTM6101JA2B-033.3333T Microchip Technology HTM6101JA2B-033.3333T -
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA2B-033.33333333333333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-830-HCE-FAAN-156M250000TR Microchip Technology VC-830-HCE-FAAN-156M250000TR -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-830 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-830-HCE-FAAN-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1001BE2-125.0000 Microchip Technology DSC1001BE2-125.0000 -
RFQ
 ECAD 8025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DL2-030.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-030.0000T -
RFQ
 ECAD 5427 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA6001JL2B-012.2880VAO Microchip Technology DSA6001JL2B-012.2880VAO -
RFQ
 ECAD 5899 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6001 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JL2B-012.2880VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI3-012.0000 Microchip Technology DSC1001BI3-012.0000 -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1505AI3A-24M00000 Microchip Technology DSC1505AI3A-24M00000 -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-24M00000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
HT-MM900AC-7K-EE-25M0000000 Microchip Technology HT-MM900AC-7K-EE-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-840-JAE-KAAN-122M767850 Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-122M767850 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 122.76785 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-JAE-KAAN-122M767850 귀 99 8541.60.0080 3,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 10µA
DSC1001BI2-006.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-006.0000 0.9600
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 6MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC6-QCD-100M000000TR Microchip Technology VCC6-QCD-100M000000TR -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-QCD-100M0000TTR 귀 99 8541.60.0080 1
DSC1122NI5-025.0020T Microchip Technology DSC1122NI5-025.0020T -
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 25.002 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6001JI2B-001.0000T Microchip Technology DSC6001JI2B-001.0000T -
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-001.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-801-DAW-KABN-16M0000000TR Microchip Technology VC-801-DAW-KABN-16M0000000TR -
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-DAW-KABN-16M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1001BI1-033.3330T Microchip Technology DSC1001BI1-033.3330T -
RFQ
 ECAD 4514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DL5-060.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-060.0000T 2.1125
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033DC2-012.0000T Microchip Technology DSC103333DC2-012.0000T -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6111HL1B-024.0000 Microchip Technology DSC6111HL1B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HL1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-B3D-49M1400000 Microchip Technology VCC1-B3D-49M1400000 -
RFQ
 ECAD 2041 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121DE5-072.0000 Microchip Technology DSC1121DE5-072.0000 -
RFQ
 ECAD 7983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 72 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1001BI2-022.8000 Microchip Technology DSC1001BI2-022.8000 -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-704-EAE-1060-11M0592000 Microchip Technology VT-704-EAE-1060-111M0592000 -
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1202CE3-106M2500 Microchip Technology DSC1202CE3-106M2500 -
RFQ
 ECAD 4160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1202 106.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202CE3-106M2500 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6011MI2A-024.0000T Microchip Technology DSC6011MI2A-024.0000T -
RFQ
 ECAD 7748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-820-FFG-507C-14M4000000 Microchip Technology VT-820-FFG-507C-14M4000000 -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1001DL2-037.1250TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-037.1250TVAO -
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 37.125 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-037.1250TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DL3-006.0053VAO Microchip Technology DSA1001DL3-006.0053VAO -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.0053 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-006.0053VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6011JI2A-025.0000T Microchip Technology DSC6011JI2A-025.0000T -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MV-9400AE-C1F-EEK122M880000 Microchip Technology MV-9400AE-C1F-EEK122M880000 -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001CE2-024.0000T Microchip Technology DSC1001CE2-024.0000T -
RFQ
 ECAD 1905 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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