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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1001DL5-125.0000T	2.4375	RFQ	7539	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6083CE2A-032K768T	-	RFQ	1648	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6112HI2B-032K768	-	RFQ	6483	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6112	32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-709-ede-kaan-64M0000000	-	RFQ	3602	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		64 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	17ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001CI2-033.3300	1.2300	RFQ	835	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.33 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4613	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6003JL3B-004.0096	-	RFQ	2571	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	활동적인	-	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003	4.0096 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	-	-	-	-
VC-820-EAE-KAAN-16M0000000	-	RFQ	7665	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC103333DI1-032.0000	-	RFQ	4317	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001AI1-013.1072	-	RFQ	4938	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)	DSC1001	13.1072 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VCC1-E3D-48M0050000	-	RFQ	8002	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VCC1-H3F-100M000000	-	RFQ	6305	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DL2-090.0000T	-	RFQ	6534	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	90MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
HT-MM900AC-7K-EE-25M0000000	-	RFQ	1312	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
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DSC1505AI3A-24M00000	-	RFQ	4020	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		24 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1505AI3A-24M00000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	1µA (유형)
MX775EBA644M531-TR	-	RFQ	8315	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX775EBA644M531-TR	귀 99	8542.39.0001	1,000
MO-9000AE-6F-JS-80M0000000	-	RFQ	5842	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VC-840-JAE-KAAN-122M767850	-	RFQ	5798	마이크로 마이크로 기술	VC-840	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		122.76785 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-JAE-KAAN-122M767850	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화	20MA	결정	± 50ppm	-	-	10µA
DSC1122NI5-025.0020T	-	RFQ	7806	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	25.002 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6001JI2B-001.0000T	-	RFQ	1871	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	1MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI2B-001.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI2-006.0000	0.9600	RFQ	9522	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	6MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1030BI1-012.0000	-	RFQ	8244	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		12MHz	CMOS	3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSA1121CI2-020.0000VAO	-	RFQ	5797	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		20MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1121CI2-020.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1123CI1-125.0000	-	RFQ	9994	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6111HL1B-024.0000	-	RFQ	9939	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6111	24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6111HL1B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1121DE5-072.0000	-	RFQ	7983	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	72 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	-	± 10ppm	-	22MA
VC-801-DAW-KABN-16M0000000TR	-	RFQ	4930	마이크로 마이크로 기술	VC-801	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-801-DAW-KABN-16M0000000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	10MA	결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC1001BI1-033.3330T	-	RFQ	4514	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC103333DC2-012.0000T	-	RFQ	8494	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10MA	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
VCC1-B3D-49M1400000	-	RFQ	2041	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²