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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1121CE2-066.6600 Microchip Technology DSC1121CE2-066.6600 -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 66.66 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BI5-090.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-090.0000 2.2300
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 90MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
MV-9300AE-6F-ENK54M0000000 Microchip Technology MV-9300AE-6F-ENK54M0000000 -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6001HI1A-004.0000T Microchip Technology DSC6001HI1A-004.0000T -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001BL5-027.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-027.0000T -
RFQ
 ECAD 9536 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6111JL1B-050.0000 Microchip Technology DSC6111JL1B-050.0000 0.9480
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JL1B-050.0000 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1123BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1123BI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 10MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSA1203CI3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1203CI3-100M0000VAO -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1203CI3-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VCC1-B3R-8M00000000 Microchip Technology VCC1-B3R-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3R-8M000000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC6301ML1EB-010.0000T Microchip Technology DSC6301ML1EB-010.0000T -
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 10MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301ML1EB-010.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
VC-820-EAE-EAAN-133M000000 Microchip Technology VC-820-EAE-EAAN-133M000000 -
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAE-FAAN-16M3840000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-16M3840000 -
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1033DI1-014.3181T Microchip Technology DSC103333DI1-014.3181T -
RFQ
 ECAD 1603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.3181 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6331JA2GB-025.0000T Microchip Technology DSC6331JA2GB-025.0000T -
RFQ
 ECAD 5412 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2GB-025.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - -0.25%, 하향 확산 -
DSC6011MI2B-040.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-040.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1124CL3-100.0000 Microchip Technology DSC1124CL3-100.0000 -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA MEMS - ± 20ppm - 22MA
DSC1124BI5-148.3516T Microchip Technology DSC1124BI5-148.3516T -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 148.3516 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001CL2-009.5290 Microchip Technology DSC1001CL2-009.5290 -
RFQ
 ECAD 3960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 9.529 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC1-A3D-32M0000000 Microchip Technology VCC1-A3D-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 8994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI2-064.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-064.0000 1.2200
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC6013HI2A-042.2400 Microchip Technology DSC6013HI2A-042.2400 -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 42.24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DE5-040.0000 Microchip Technology DSC1101DE5-040.0000 -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001BI5-090.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-090.0000T -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 90MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC6-LAP-156M250000 Microchip Technology VCC6-LAP-156M250000 -
RFQ
 ECAD 7558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1122CI5-071.0000T Microchip Technology DSC1122CI5-071.0000T -
RFQ
 ECAD 1288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 71 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1103CI2-300.0000T Microchip Technology DSC1103CI2-300.0000T -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 300MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001CE1-003.5000 Microchip Technology DSC1001CE1-003.5000 -
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE1-003.5000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121BI2-153.6000T Microchip Technology DSC1121BI2-153.6000T -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 153.6 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121BI5-156.2500 Microchip Technology DSC1121BI5-156.2500 -
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI5-156.2500 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VCC1-B3D-66M6670000 Microchip Technology VCC1-B3D-66M6670000 -
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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