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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VV-701-EAE-KKAB-6M31200000 Microchip Technology VV-701-EAE-KKAB-6M31200000 -
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 ECAD 6768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CI5-029.4912T Microchip Technology DSC1001CI5-029.4912T -
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 ECAD 4675 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 29.4912 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001BI2-012.2880 Microchip Technology DSC1001BI2-012.2880 -
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 ECAD 9615 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
OSC-1B2-25M0000000 Microchip Technology OSC-1B2-25M0000000 -
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 ECAD 9576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VT-820-1122-25M0006250 Microchip Technology VT-820-1122-25M0006250 -
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 ECAD 8701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 마지막으로 마지막으로 다운로드 150-VT-820-1122-25M0006250 1
DSC1004BI5-005.0000T Microchip Technology DSC1004BI5-005.0000T -
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 ECAD 7407 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004BI5-005.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC6-LCB-135M000000 Microchip Technology VCC6-LCB-135M000000 -
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 ECAD 5780 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1123NL5-125.0000 Microchip Technology DSC1123NL5-125.0000 -
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 ECAD 9775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1203NI3-125M0000T Microchip Technology DSC1203NI3-125M0000T -
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 ECAD 6216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NI3-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VC-801-EAE-KABN-10M0000000 Microchip Technology VC-801-EAE-KABN-10M0000000 -
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 ECAD 1135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-EAE-KABN-10M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VT-800-EFE-106B-10M0000000 Microchip Technology VT-800-EFE-106B-10M0000000 -
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 ECAD 8227 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001AC1-008.0000T Microchip Technology DSC1001AC1-008.0000T -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DI1-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI1-050.00000000TVAO -
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 ECAD 4478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-050.000000000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1123AI2-040.0000 Microchip Technology DSC1123AI2-040.0000 1.9500
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 ECAD 3061 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 40MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1101CL5-052.5000T Microchip Technology DSC1101CL5-052.5000T -
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 ECAD 3499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 52.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC6101MI1B-020.0000 Microchip Technology DSC6101MI1B-020.0000 -
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 ECAD 2973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MI1B-020.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-F3D-15M2810000 Microchip Technology VCC1-F3D-15M2810000 -
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 ECAD 7148 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3R-50M0000000 Microchip Technology VCC1-B3R-50M0000000 -
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 ECAD 9223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-EDE-KAAN-133M333333 Microchip Technology VC-709-ede-kaan-133M333333 -
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 ECAD 7841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 133.333333 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 17ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1201DE3-50M00000T Microchip Technology DSC1201DE3-50M00000T -
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201DE3-50M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6111CI2A-008.0000 Microchip Technology DSC6111CI2A-008.0000 -
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 ECAD 3599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC4-F3F-66M0000000 Microchip Technology VCC4-F3F-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-HCE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-709-HCE-KAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 42MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001BL1-025.0000T Microchip Technology DSC1001BL1-025.0000T -
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 ECAD 5020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1203DL2-125M0000 Microchip Technology DSC1203DL2-125M0000 -
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DL2-125M0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1103CI2-166.0000 Microchip Technology DSC1103CI2-166.0000 -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 166 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6001HE1B-008.0000 Microchip Technology DSC6001HE1B-008.0000 -
RFQ
 ECAD 4834 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HE1B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VC-826-EDE-KAAN-52M00000000TR Microchip Technology VC-826-ede-kaan-52M00000000tr -
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-826 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.041 "(1.05mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 52MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-vc-826-ede-kaan-52m0000tr 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 17ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
VTC2-J01E-10M0000000 Microchip Technology VTC2-J01E-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1203NI3-200M0000 Microchip Technology DSC1203NI3-200M0000 -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NI3-200M0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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