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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC6101HE2A-012.0000T Microchip Technology DSC6101HE2A-012.0000T -
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HE2A-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123CI3-125.0000T Microchip Technology DSC1123CI3-125.0000T -
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI3-125.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6001JI3B-259K200 Microchip Technology DSC6001JI3B-259K200 -
RFQ
ECAD 2648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 259.2 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI3B-259K200 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6102JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6102JI1B-080.0000T -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1121AE5-020.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-020.0000 -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AE5-020.0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6111HI3B-074.2500 Microchip Technology DSC6111HI3B-074.2500 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 74.25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI3B-074.2500 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC6001HI2A-012.2880 Microchip Technology DSC6001HI2A-012.2880 -
RFQ
ECAD 7331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001HI2A-012.2880 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001ME1B-052.4280T Microchip Technology DSC6001ME1B-052.4280T -
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 52.428 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001ME1B-052.4280TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1103CL5-212.5000 Microchip Technology DSC1103CL5-212.5000 -
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CL5-212.5000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6111JI2B-100.0000T Microchip Technology DSC6111JI2B-100.0000T -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 100MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JI2B-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
MX553ABA106M250 Microchip Technology MX553ABA106M250 -
RFQ
ECAD 2874 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSA1001DI1-005.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-005.0000VAO -
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 5 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-005.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DI1-019.2000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-019.2000VAO -
RFQ
ECAD 5292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 19.2 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-019.2000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DI2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-025.00000000TVAO -
RFQ
ECAD 9008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-025.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DI2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000TVAO -
RFQ
ECAD 4512 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 26 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-026.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DI2-026.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000VAO -
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 26 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-026.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DI3-020.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI3-020.0000VAO -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 20MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI3-020.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA1001DL1-060.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-060.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 60MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL1-060.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1001DL2-006.0053VAO Microchip Technology DSA1001DL2-006.0053VAO -
RFQ
ECAD 7379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 6.0053 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-006.0053VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DL2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-026.0000TVAO -
RFQ
ECAD 4217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 26 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-026.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DL3-008.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-008.0000TVAO -
RFQ
ECAD 2028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 8 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-008.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA1001DL3-032.7680TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-032.7680TVAO -
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 32.768 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-032.7680TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA1001DL3-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-100.0000TVAO -
RFQ
ECAD 4573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 100MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-100.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSA1101BI3-034.3680VAO Microchip Technology DSA1101BI3-034.3680VAO -
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 34.368 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101BI3-034.3680VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSA1101CA1-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CA1-025.0000TVAO -
RFQ
ECAD 9639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CA1-025.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101CI1-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CI1-050.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CI1-050.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1101CI1-050.0000VAO Microchip Technology DSA1101CI1-050.0000VAO -
RFQ
ECAD 9945 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101CI1-050.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6102MI2B-125K000 Microchip Technology DSC6102MI2B-125K000 -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6102 125 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102MI2B-125K000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6111HA2B-024.0000T Microchip Technology DSC6111HA2B-024.0000T -
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6111 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HA2B-024.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6111JL2B-008.0000 Microchip Technology DSC6111JL2B-008.0000 -
RFQ
ECAD 7931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111JL2B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고