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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
VC-806-ede-kaan-156M250000	-	RFQ	7471	마이크로 마이크로 기술	VC-806	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VC-806-EDE-KAAN-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	60ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001AL5-014.7456T	-	RFQ	9163	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	-	± 10ppm	-	15µA
DSC1103CE5-150.0000	-	RFQ	1363	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	150MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6141JI3B-127K000	-	RFQ	4490	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		127 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6141JI3B-127K000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1121DM2-033.0000	-	RFQ	1067	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	33MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DI5-025.0000	2.4400	RFQ	155	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001CL5-003.6864T	-	RFQ	3751	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	3.6864 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1204BL3-100M0000T	-	RFQ	1550	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1204	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.63V	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1204BL3-100M0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	40ma (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1101CL5-040.0000	-	RFQ	6316	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	40MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
VT-706-EFJ-1070-10M0000000	-	RFQ	9827	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6013JI3B-032.0000T	-	RFQ	9107	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6013	32 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6013JI3B-032.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1001DI5-060.0000	1.8840	RFQ	9520	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	60MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VC-840-1032-25M0000000	-	RFQ	3959	마이크로 마이크로 기술	VC-840	대부분	쓸모 쓸모	-	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	3.3v	-				150-VC-840-1032-25M0000000	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	13MA	결정	-	-	-	10µA
DSC1103CI2-072.0000	-	RFQ	5607	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	72 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC1001CC2-012.2880T	-	RFQ	1294	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1103CA2-020.00000000TVAO	-	RFQ	4390	마이크로 마이크로 기술	DSA1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1103	20MHz	LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1103CA2-020.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1221DA3-21M00000	-	RFQ	4628	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		21MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DA3-21M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001BL5-010.0000T	-	RFQ	8018	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	10MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1221CA3-25M00000T	-	RFQ	1359	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1221	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1221CA3-25M00000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1103CL5-270.0000	-	RFQ	4457	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		270 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-270.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
VV-701-EAE-KKAB-6M31200000	-	RFQ	6768	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CI5-029.4912T	-	RFQ	4675	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001BI2-012.2880	-	RFQ	9615	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
OSC-1B2-25M0000000	-	RFQ	9576	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VT-820-1122-25M0006250	-	RFQ	8701	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	마지막으로 마지막으로												다운로드				150-VT-820-1122-25M0006250			1
DSC1004BI5-005.0000T	-	RFQ	7407	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	5 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1004BI5-005.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC6-LCB-135M000000	-	RFQ	5780	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1123NL5-125.0000	-	RFQ	9775	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1203NI3-125M0000T	-	RFQ	6216	마이크로 마이크로 기술	DSC1203	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz	LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1203NI3-125M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
VC-801-EAE-KABN-10M0000000	-	RFQ	1135	마이크로 마이크로 기술	VC-801	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		10MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-801-EAE-KABN-10M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	7ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²