RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
VC-801-EAE-KAAN-10M0000000	-	RFQ	5824	마이크로 마이크로 기술	VC-801	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		10MHz	CMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-801-EAE-KAAN-10M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	7ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA
VCC1-B3D-83M3000000	-	RFQ	6081	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DE1-024.3050T	-	RFQ	9300	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24.305 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VC-708-EDE-FNXN-157M326900	-	RFQ	2800	마이크로 마이크로 기술	VC-708	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		157.3269 MHz	LVD	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-708-EDE-FNXN-157M326900	귀 99	8542.39.0001	100	-	48MA	결정	± 25ppm	-	-	-
DSC1123BL2-200.0000	-	RFQ	6348	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	200MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6001CI2A-050.0000	-	RFQ	9783	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		50MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수			150-DSC6001CI2A-050.0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103NI2-400.0000	-	RFQ	5343	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	400MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
MX555ABB850M000	-	RFQ	8492	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABB850M000	850MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
M921223CL1-100M0000	-	RFQ	9522	마이크로 마이크로 기술	M9212X3	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	LVD	2.5V, 3.3V	다운로드				150-M921223CL1-100M0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001DC1-100.0000	-	RFQ	1242	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VCC1-B3A-65M5360000	-	RFQ	6606	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		65.536 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-vcc1-b3a-65m5360000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	30ma	결정	± 100ppm	-	-	30µA
DSC6183CI2A-030K000T	-	RFQ	4678	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		30 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA1121DA2-025.0000TVAO	-	RFQ	9048	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA2-025.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6111JI1B-019.2000T	0.8640	RFQ	7286	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JI1B-019.2000TTR			1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VT-700-DFJ-206A-40M0000000TR	-	RFQ	8862	마이크로 마이크로 기술	VT-700	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.079 "(2.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	vctcxo		40MHz	사인파를 사인파를	5V	-			영향을받지 영향을받지	150-VT-700-DFJ-206A-40M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	진폭 진폭	3MA	결정	± 2ppm	± 5ppm	-	-
DSC6112JE1B-100.0000T	-	RFQ	6214	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6112JE1B-100.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6003JI2B-025.0000T	-	RFQ	8717	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003	25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JI2B-025.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA1121DA2-125.0000VAO	-	RFQ	8156	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA2-125.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1224CI3-350M0000	-	RFQ	2325	마이크로 마이크로 기술	DSC12X4	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		350MHz	HCSL	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1224CI3-350M0000	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	40ma (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
VC-840-JAE-KAAN-122M767857	-	RFQ	1018	마이크로 마이크로 기술	VC-840	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		122.767857 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-JAE-KAAN-122M767857	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화	20MA	결정	± 50ppm	-	-	10µA
DSC1101BI2-027.1200	-	RFQ	3554	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	27.12 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101BI2-027.1200	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
VX-705-EAE-KXAN-114M285000	-	RFQ	9766	마이크로 마이크로 기술	VX-705	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.082 "(2.09mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		114.285 MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VX-705-EAE-KXAN-114M285000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	25MA	결정	± 20ppm	± 50ppm	-	-
DSA1101BA3-008.0000VAO	-	RFQ	2242	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BA3-008.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC1123BL2-200.0000T	-	RFQ	3232	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	200MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123BL2-200.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1103CE1-100.0000T	-	RFQ	9045	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CE1-100.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VC-840-JAE-KAAN-122M767857TR	-	RFQ	7431	마이크로 마이크로 기술	VC-840	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		122.767857 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-JAE-KAAN-122M767857TR	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화	20MA	결정	± 50ppm	-	-	10µA
DSC6102JI2B-025.0000	-	RFQ	8975	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6102	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1004CI2-060.0000	-	RFQ	6296	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	60MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1004CI2-060.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VC-709-EDE-FAAN-156M250000	-	RFQ	9560	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	17ma	결정	± 25ppm	-	-	-
VC-714-0002-156M250000tr	-	RFQ	6674	마이크로 마이크로 기술	VC-714	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	-	2.5V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-714-0002-156M250000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	70ma	결정	-	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²