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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6011MI2A-020.0000 Microchip Technology DSC6011MI2A-020.0000 -
RFQ
 ECAD 4602 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011MI2A-020.0000T Microchip Technology DSC6011MI2A-020.0000T -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011MI2A-027.0000T Microchip Technology DSC6011MI2A-027.0000T -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011MI2A-050.0000T Microchip Technology DSC6011MI2A-050.0000T -
RFQ
 ECAD 1788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6083ME2A-784K000 Microchip Technology DSC6083ME2A-784K000 -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 784 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC6101CI2A-003.5790 Microchip Technology DSC6101CI2A-003.5790 -
RFQ
 ECAD 4336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3.579 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101CI2A-003.5790T Microchip Technology DSC6101CI2A-003.5790T -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3.579 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6102CE1A-016.0000T Microchip Technology DSC6102CE1A-016.0000T -
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6111CI2A-006.1679 Microchip Technology DSC6111CI2A-006.1679 -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.1679 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6301JI1HA-027.0000 Microchip Technology DSC6301JI1HA-027.0000 -
RFQ
 ECAD 2700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 27 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC6301JI2AA-048.0000 Microchip Technology DSC6301JI2AA-048.0000 -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC6331HI2AA-012.0000T Microchip Technology DSC6331HI2AA-012.0000T -
RFQ
 ECAD 6548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 12MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS - ± 25ppm ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1001BE1-012.0000T Microchip Technology DSC1001BE1-012.0000T 1.0080
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011CE1A-003.0000T Microchip Technology DSC6011CE1A-003.0000T -
RFQ
 ECAD 7494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6011JI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6011JI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011JI2A-016.0000T Microchip Technology DSC6011JI2A-016.0000T -
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011ME2A-025.0000 Microchip Technology DSC6011ME2A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6013JI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6013JI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 7751 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6083JI1A-014K000T Microchip Technology DSC6083JI1A-014K000T -
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 14 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101JE1A-025.0000 Microchip Technology DSC6101JE1A-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101MI2A-048.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-048.0000T -
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6111CI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6111CI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6112CE1A-070.0000 Microchip Technology DSC6112CE1A-070.0000 -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모 쓸모 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 70MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6112CI1A-070.0000 Microchip Technology DSC6112CI1A-070.0000 -
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 70MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6112CI1A-070.0000T Microchip Technology DSC6112CI1A-070.0000T -
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 70MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6183CI2A-453K000 Microchip Technology DSC6183CI2A-453K000 -
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 453 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6183MI2A-000K000T Microchip Technology DSC6183MI2A-000K000T -
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101AE3-090.3168T Microchip Technology DSC1101AE3-090.3168T -
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 90.3168 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 20ppm - 95µA
DSC1101CE1-024.5760 Microchip Technology DSC1101CE1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
DSC1101CE1-024.5790 Microchip Technology DSC1101CE1-024.5790 -
RFQ
 ECAD 4180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.579 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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