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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1018BE1-050.0000	-	RFQ	2118	마이크로 마이크로 기술	DSC1018	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1018	50MHz	CMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1101BI3-013.5600T	-	RFQ	5678	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	13.56 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101BI3-013.5600T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
MX573BBA312M500-TR	-	RFQ	5245	마이크로 마이크로 기술	MX57	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX573BBA312	312.5 MHz	lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001BI3-012.7281T	-	RFQ	9610	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		12.7281 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001BI3-012.7281TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1122CI2-156.2500T	3.1000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	156.25 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1103DI5-032.0000	-	RFQ	9850	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	32 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1121DM2-100.0000	-	RFQ	1317	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCC1-9009-114M285000TR	-	RFQ	7397	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		114.285 MHz	CMOS	1.8V ~ 5V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-9009-114M285000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	60ma	결정	-	-	-	30µA
DSC6331CI2EA-025.0000	-	RFQ	1910	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		25MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6331CI2EA-025.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 2.00%, 00 스프레드	-
DSC6011CI1A-008.0000	-	RFQ	9911	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VC-708-ECW-KNXN-156M253906	-	RFQ	5644	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001DI1-028.6363T	-	RFQ	2843	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	28.6363 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001CI3-033.3333	-	RFQ	1686	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI3-033.3333	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1123CI1-150.0000	-	RFQ	9931	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	150MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1103CL5-100.0000T	4.6600	RFQ	8273	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6001JI2B-024.0000	0.9120	RFQ	6633	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI2B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1033BI2-014.3180T	-	RFQ	9426	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	14.318 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1103CI2-052.0000T	-	RFQ	8108	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	52MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC1001AI5-019.4400T	-	RFQ	6151	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	19.44 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001BE1-033.3330T	-	RFQ	6455	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		33.333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001BE1-033.3330TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1121CI2-156.0063	-	RFQ	9637	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		156.0063 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121CI2-156.0063	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1121AM2-027.0000	-	RFQ	4715	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1121	27 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA1123CL3-100.0000TVAO	-	RFQ	3701	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	LVD	2.25V ~ 3.6V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA1123CL3-100.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 20ppm	-	-	22MA
DSC1001BL5-014.7456	-	RFQ	7403	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC6001MI1B-007.3728T	-	RFQ	7934	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001	7.3728 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6001MI1B-007.3728TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
FX-700-EAT-SNKN-A3-JP	-	RFQ	7135	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	200
VCC6-LCC-100M000000	-	RFQ	1062	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6011HI2A-048.0000T	-	RFQ	4271	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		48MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1101AI2-033.3333T	-	RFQ	8149	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101	33.3333 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
M911201CI3-133M0000T_SNPB	-	RFQ	1998	마이크로 마이크로 기술	M9112X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		133 MHz	CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드				150-M911201CI3-133M0000T_SNPBTR			50	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²