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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
M911201CI3-133M0000T Microchip Technology M911201CI3-133M0000T -
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 133 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911201CI3-133M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HTM6101MA3B-025.0000 Microchip Technology HTM6101MA3B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101MA3B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
M911201NI2-20M48000T Microchip Technology M911201NI2-20M48000T -
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20.48 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911201NI2-20M48000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
M921223CI3-100M0000T Microchip Technology M921223CI3-100M0000T -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CI3-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HTM6101JA2B-050.0000 Microchip Technology HTM6101JA2B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1339 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
HTM6101JA1B-024.0000 Microchip Technology HTM6101JA1B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
HTM6101JA3B-100.0000T Microchip Technology HTM6101JA3B-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA3B-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
M921223NI3-233M3333 Microchip Technology M921223NI3-233M3333 -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 233.3333 MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI3-233M3333 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
HTM6101JA1B-024.0000T Microchip Technology HTM6101JA1B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 1136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
M921223CL1-100M0000T Microchip Technology M921223CL1-100M0000T -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CL1-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1102AE1-125.0000T Microchip Technology DSC1102AE1-125.0000T -
RFQ
 ECAD 8304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1102 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1033AI2-033.3333T Microchip Technology DSC1033AI2-033.3333T -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6001MI2A-048.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-048.0000T -
RFQ
 ECAD 8039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001MI2A-048.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DI1-014.7456T Microchip Technology DSC1001DI1-014.7456T -
RFQ
 ECAD 7025 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1102CI2-400.0000T Microchip Technology DSC1102CI2-400.0000T -
RFQ
 ECAD 9785 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 400MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX574BNR805M664-TR Microchip Technology MX574BNR805M664-TR -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX574BNR805M664 805.664062 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
VCC4-F3F-100M000000 Microchip Technology VCC4-F3F-100M000000 -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCB1-F0F-40M0000000 Microchip Technology VCB1-F0F-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCB1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.500 "L x 0.500"W (12.70mm x 12.70mm) 0.257 "(6.53mm) 구멍을 구멍을 8-DIP, 4 4 리드 (반 크기 크기, 금속 캔 캔) xo (표준) 40MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCB1-F0F-40M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 - 20MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1102DI2-125.0000T Microchip Technology DSC1102DI2-125.0000T -
RFQ
 ECAD 9712 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1124CL5-027.0000T Microchip Technology DSC1124CL5-027.0000T -
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1001AI5-002.4576T Microchip Technology DSC1001AI5-002.4576T -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 2.4576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6331HI2AA-031.9488 Microchip Technology DSC6331HI2AA-031.9488 -
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 31.9488 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123DI5-200.0000T Microchip Technology DSC1123DI5-200.0000T -
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1121CL5-050.0000T Microchip Technology DSC1121CL5-050.0000T -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1104CM3-100.0000T Microchip Technology DSC1104CM3-100.0000T -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1104 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1003DI2-050.0000 Microchip Technology DSC1003DI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101DM2-027.0000 Microchip Technology DSC11011111DM2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC1-B3F-4M00000000 Microchip Technology VCC1-B3F-4M00000000 -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3F-4M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1001CL1-024.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 2831 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6301JI2FB-002.0000 Microchip Technology DSC6301JI2FB-002.0000 -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6301 2 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI2FB-002.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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