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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
VCC6-1307-33M3330000_SNPB Microchip Technology VCC6-1307-33M3330000_SNPB -
RFQ
ECAD 4155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-1307-33M30000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
VCC1-1554-100M000000 Microchip Technology VCC1-1554-100M000000 -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1554-100M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VC-709-0043-156M250000 Microchip Technology VC-709-0043-156M250000 -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0043-156M250000tr 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VCC1-A3F-27M0000000 Microchip Technology VCC1-A3F-27M0000000 -
RFQ
ECAD 3891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-A3F-27M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VV-701-EAE-S6362-61M4400000 Microchip Technology VV-701-EAE-S6362-61M4400000 -
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-701 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 61.44 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VV-701-EAE-S6362-61M4400000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 14ma 결정 - ± 100ppm - -
VC-806-HDW-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-806-HDW-KAAN-100M000000 -
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-HDW-KAAN-100M0000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-1535-125M000000 Microchip Technology VCC1-1535-125M000000 -
RFQ
ECAD 1958 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1535-125M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VC-709-0050-212M500000 Microchip Technology VC-709-0050-212M500000 -
RFQ
ECAD 9764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-0050-212M500000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VS-702-1002-698M812334 Microchip Technology VS-702-1002-698M812334 -
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VS-702 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.200"W (7.50mm x 5.08mm) 0.084 "(2.13mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 698.812 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VS-702-1002-698M812334TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - 10MA
VC-709-HDE-FAAN-24M5454540 Microchip Technology VC-709-HDE-FAAN-24M5454540 -
RFQ
ECAD 6858 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 24.545454 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-HDE-FAAN-24M5454540TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 14ma 결정 ± 25ppm - - -
VX-805-0016-153M600000 Microchip Technology VX-805-0016-153M600000 -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 153.6 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-0016-153M600000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 90ma 결정 - - - -
DSA6331JL2AB-012.2880VAO Microchip Technology DSA6331JL2AB-012.2880VAO -
RFQ
ECAD 8909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2AB-012.2880VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC6101JA2B-027.0000T Microchip Technology DSC6101JA2B-027.0000T -
RFQ
ECAD 4110 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA2B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA6001JI2B-001.0000TVAO Microchip Technology DSA6001JI2B-001.0000TVAO -
RFQ
ECAD 3684 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI2B-001.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103DI1-156.2500 Microchip Technology DSC1103DI1-156.2500 -
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DI1-156.2500 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1001BL2-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1001BL2-050.0000000000TVAO -
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001BL2-050.00000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1121CA1-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA1-024.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5708 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA1-024.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6011HA2B-029.4912 Microchip Technology DSC6011HA2B-029.4912 -
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 29.4912 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA2B-029.4912 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1222NL3-10M00000 Microchip Technology DSC1222NL3-10M00000 -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 10MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC12NL3-10M00000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6001CI1A-024.0000T Microchip Technology DSC6001CI1A-024.0000T -
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6001CI1A-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CE1-006.1760T Microchip Technology DSC1001CE1-006.1760T -
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.176 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE1-006.1760TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1121DA2-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1121DA2-020.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA2-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA6001JI2B-001.0000VAO Microchip Technology DSA6001JI2B-001.0000VAO -
RFQ
ECAD 7330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI2B-001.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011ME2A-050.0000 Microchip Technology DSC6011ME2A-050.0000 -
RFQ
ECAD 4065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6011ME2A-050.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6301JI2AB-002.0000 Microchip Technology DSC6301JI2AB-002.0000 -
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6301 2 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JI2AB-002.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1001CI1-010.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-010.0000 -
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 10MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI1-010.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DE2-120.0000 Microchip Technology DSC1001DE2-120.0000 -
RFQ
ECAD 7877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DE2-120.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121AI1-002.5000T Microchip Technology DSC1121AI1-002.5000T -
RFQ
ECAD 8542 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 2.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI1-002.5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001DE2-120.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-120.0000T -
RFQ
ECAD 5047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 120MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DE2-120.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-803-0041-50M0000000 Microchip Technology VT-803-0041-50M0000000 -
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 150-VT-803-0041-50M0000000TR 쓸모없는 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고