전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VCC6-1307-33M3330000_SNPB | - | ![]() | 4155 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.333 MHz | - | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-1307-33M30000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | - | 결정 | - | - | - | - | |||
![]() | VCC1-1554-100M000000 | - | ![]() | 9919 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | CMOS | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-1554-100M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||
![]() | VC-709-0043-156M250000 | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-709 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | - | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-709-0043-156M250000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||
![]() | VCC1-A3F-27M0000000 | - | ![]() | 3891 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-A3F-27M0000000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||
![]() | VV-701-EAE-S6362-61M4400000 | - | ![]() | 8966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VV-701 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.068 "(1.72mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 61.44 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VV-701-EAE-S6362-61M4400000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 14ma | 결정 | - | ± 100ppm | - | - | |||
![]() | VC-806-HDW-KAAN-100M000000 | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-806 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-806-HDW-KAAN-100M0000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 60ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | VCC1-1535-125M000000 | - | ![]() | 1958 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-1535-125M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 50ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||
![]() | VC-709-0050-212M500000 | - | ![]() | 9764 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-709 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 212.5 MHz | - | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-709-0050-212M500000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||
![]() | VS-702-1002-698M812334 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VS-702 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.295 "L x 0.200"W (7.50mm x 5.08mm) | 0.084 "(2.13mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 698.812 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VS-702-1002-698M812334TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 70ma | 결정 | ± 20ppm | ± 50ppm | - | 10MA | ||
![]() | VC-709-HDE-FAAN-24M5454540 | - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-709 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.545454 MHz | LVD | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-709-HDE-FAAN-24M5454540TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 14ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | VX-805-0016-153M600000 | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VX-805 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 153.6 MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VX-805-0016-153M600000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 90ma | 결정 | - | - | - | - | ||
![]() | DSA6331JL2AB-012.2880VAO | - | ![]() | 8909 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12.288 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6331JL2AB-012.2880VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||
![]() | DSC6101JA2B-027.0000T | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JA2B-027.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSA6001JI2B-001.0000TVAO | - | ![]() | 3684 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JI2B-001.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC1103DI1-156.2500 | - | ![]() | 4101 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DI1-156.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSA1001BL2-050.0000000000TVAO | - | ![]() | 6639 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001BL2-050.00000000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1121CA1-024.0000TVAO | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121CA1-024.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC6011HA2B-029.4912 | - | ![]() | 4483 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 29.4912 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HA2B-029.4912 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |
![]() | DSC1222NL3-10M00000 | - | ![]() | 4384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 10MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC12NL3-10M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | ||
![]() | DSC6001CI1A-024.0000T | - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 150-DSC6001CI1A-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1001CE1-006.1760T | - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.176 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CE1-006.1760TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1121DA2-020.0000TVAO | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1121 | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121DA2-020.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |
![]() | DSA6001JI2B-001.0000VAO | - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JI2B-001.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6011ME2A-050.0000 | - | ![]() | 4065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 150-DSC6011ME2A-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||
![]() | DSC6301JI2AB-002.0000 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6301 | 2 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JI2AB-002.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |
![]() | DSC1001CI1-010.0000 | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI1-010.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1001DE2-120.0000 | - | ![]() | 7877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 120MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DE2-120.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1121AI1-002.5000T | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 2.5MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AI1-002.5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1001DE2-120.0000T | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 120MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DE2-120.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | VT-803-0041-50M0000000 | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 150-VT-803-0041-50M0000000TR | 쓸모없는 | 500 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고