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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6001JI1B-012.0000T Microchip Technology DSC6001JI1B-012.0000T -
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI1B-012.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1101CI2-133.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-133.0000 -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 133 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121CL2-024.0000 Microchip Technology DSC1121CL2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CL2-024.0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VC-806-0009-250M000000_SNPB Microchip Technology VC-806-0009-250M000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 250MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0009-250M000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 - - 결정 - - - -
DSC1123AL2-025.0000 Microchip Technology DSC1123AL2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 25MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6001CI2A-003.5800 Microchip Technology DSC6001CI2A-003.5800 -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 3.58 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6001CI2A-003.5800 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1123CL2-125.0000TVAO Microchip Technology DSA1123CL2-125.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CL2-125.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6083HE2A-084K000 Microchip Technology DSC6083HE2A-084K000 -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 84 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6083HE2A-084K000 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.19ma (() MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DL2-003.6864T Microchip Technology DSC1001DL2-003.6864T -
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
DSC6083CI2A-250K000T Microchip Technology DSC6083CI2A-250K000T -
RFQ
 ECAD 8580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 250 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-1578-12M1590000TR Microchip Technology VCC1-1578-12M1590000TR -
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.159 MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1578-12M1590000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 - - - 30µA
DSC1001CI2-080.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-080.0000 -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6112JI2B-024.0000T Microchip Technology DSC6112JI2B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6112JI2B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6301JI2CA-048.0000T Microchip Technology DSC6301JI2CA-048.0000T -
RFQ
 ECAD 3308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC6111BI1B-008.0000T Microchip Technology DSC6111BI1B-008.0000T 1.2000
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
VS-702-ECE-KXAN-640M000000 Microchip Technology VS-702-ECE-KXAN-640M000000 -
RFQ
 ECAD 8027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VS-702 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "LX 0.197"W (7.50mm x 5.00mm) 0.084 "(2.13mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 640MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VS-702-ECE-KXAN-640M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
DSC6331JI1BB-024.0000T Microchip Technology DSC6331JI1BB-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI1BB-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC1001CL5-030.0000T Microchip Technology DSC1001CL5-030.0000T -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC6-QCD-60M0000000 Microchip Technology VCC6-QCD-60M0000000 -
RFQ
 ECAD 4661 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VT-820-GFE-106A-40M9600000 Microchip Technology VT-820-GFE-106A-40M9600000 -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001AI5-150.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 150MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 12.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1123DI5-100.0000 Microchip Technology DSC1123DI5-100.0000 -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001DI5-026.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-026.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA1001DL2-016.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-016.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 16MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-016.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1525MA2A-50M00000 Microchip Technology DSC1525MA2A-50M00000 -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1525MA2A-50M00000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC6011JI2A-007.3728 Microchip Technology DSC6011JI2A-007.3728 -
RFQ
 ECAD 4957 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103AE2-212.5000 Microchip Technology DSC1103AE2-212.5000 -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC4-B3B-49M1520000 Microchip Technology VCC4-B3B-49M1520000 -
RFQ
 ECAD 9280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3F-11M0592000 Microchip Technology VCC1-B3F-11M0592000 -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.0592 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1101CL1-125.0000T Microchip Technology DSC1101CL1-125.0000T -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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