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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VCC4-B3D-25M0000000TR Microchip Technology vcc4-b3d-25m0000000tr -
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-B3D-25M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC6-VCE-100M000000 Microchip Technology VCC6-VCE-100M000000 -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6001JI2B-042.5000 Microchip Technology DSC6001JI2B-042.5000 -
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 42.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-042.5000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101MI2B-006.1679T Microchip Technology DSC6101MI2B-006.1679T -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 6.1679 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MI2B-006.1679T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121BM1-100.0000 Microchip Technology DSC1121BM1-100.0000 1.8480
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VT-501-EAE-2060-61M4400000 Microchip Technology VT-501-EAE-2060-61M4400000 -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101DM2-012.0000T Microchip Technology DSC11011111DM2-012.0000T 1.5120
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 12MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC1-G2C-96M0000000 Microchip Technology VCC1-G2C-96M0000000 -
RFQ
 ECAD 1941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1122NL5-025.0006T Microchip Technology DSC1122NL5-025.0006T -
RFQ
 ECAD 8188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 25.0006 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001CE1-033.8688T Microchip Technology DSC1001CE1-033.8688T 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.8688 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-820-9013-24M5760000 Microchip Technology VC-820-9013-24M5760000 -
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 7ma 결정 - - - 10µA
DSC1122NE2-150.0000T Microchip Technology DSC1122NE2-150.0000T -
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 150MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6011MI2B-080.0000 Microchip Technology DSC6011MI2B-080.0000 -
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-080.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
MO-9200AE-D5F-EE150M000000 Microchip Technology MO-9200AE-D5F-EE150M000000 -
RFQ
 ECAD 8202 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6111CI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6111CI2A-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6111CI2A-024.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001AI5-027.0000T Microchip Technology DSC1001AI5-027.0000T -
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC4-B3F-34M3680000TR Microchip Technology vcc4-b3f-34m3680000tr -
RFQ
 ECAD 8000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 34.368 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-vcc4-b3f-34m3680000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
VCA1-A3D-4M19430400 Microchip Technology VCA1-A3D-4M19430400 -
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
VC-708-EDE-FNXN-122M880000 Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-122M880000 -
RFQ
 ECAD 4518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6011HI2B-026.0000T Microchip Technology DSC6011HI2B-026.0000T -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI2B-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
MX574EBH20M0000-TR Microchip Technology MX574EBH20M0000-TR -
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574EBH20M0000 20MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574EBH20M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1101NI5-020.0000T Microchip Technology DSC1101NI5-020.0000T -
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1003CI2-024.0000T Microchip Technology DSC1003CI2-024.0000T 0.9200
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC1122CL2-155.5200T Microchip Technology DSC1122CL2-155.5200T -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 155.52 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1103CE1-100.0000 Microchip Technology DSC1103CE1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CE1-100.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-820-EAE-FAAN-10M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-FAAN-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-FAAN-10M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 결정 ± 25ppm - - 5µA
DSC1123CI2-212.5000T Microchip Technology DSC1123CI2-212.5000T -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1122AI2-312.5000T Microchip Technology DSC1122AI2-312.5000T -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1122 312.5 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
HTM6101JL1B-024.0000T Microchip Technology HTM6101JL1B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JL1B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VVC2-1041-39M3216000 Microchip Technology VVC2-1041-39M3216000 -
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VVC2 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 39.3216 MHz CMOS - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VVC2-1041-39M3216000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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