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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1103CL5-026.0000T	-	RFQ	2074	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		26 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1101NI5-012.8000	-	RFQ	9545	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	12.8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1101AI2-156.2500T	-	RFQ	2673	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101	156.25 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	95µA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6001JI2A-025.0000T	-	RFQ	9479	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DL5-012.2880	2.6400	RFQ	1558	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
VC-708-EDE-FNXN-155M980800	-	RFQ	3308	마이크로 마이크로 기술	VC-708	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		155.9808 MHz	LVD	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-708-EDE-FNXN-155M980800	귀 99	8542.39.0001	100	-	48MA	결정	± 25ppm	-	-	-
DSC103333CC1-022.5792T	-	RFQ	9057	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		22.5792 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DSC1033CC1022.5792T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001AI5-144.0000T	-	RFQ	9093	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	144 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121BM1-010.0000	-	RFQ	1363	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	10MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001AE1-131.0720	-	RFQ	4011	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	131.072 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC103333CE1-031.2000	-	RFQ	4945	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		31.2 MHz	CMOS	3.3v	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001CI5-060.0000T	-	RFQ	6102	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	60MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC1-B3B-187M500000	-	RFQ	6582	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001JI2B-008.0000	-	RFQ	8709	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI2B-008.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
HTM6101JL1B-030.0000	-	RFQ	8711	마이크로 마이크로 기술	htm61xx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		30MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-HTM6101JL1B-030.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1221DA3-21M00000T	-	RFQ	7952	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		21MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DA3-21M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC6331MI1AA-038.0000	-	RFQ	1346	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		38MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-	3MA (유형)	MEMS	-	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1123AL2-125.0000	-	RFQ	5538	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6003MI3B-032K768	-	RFQ	1573	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6003	32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6003MI3B-032K768	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSA6331JI1CB-027.0000VAO	-	RFQ	6068	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6331JI1CB-027.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
DSC1001AC1-027.0000	0.9000	RFQ	9717	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001BE1-066.6666T	-	RFQ	1534	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	66.6666 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.1ma	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6051JI3B-024.0000	-	RFQ	3423	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6051JI3B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1103CE1-212.5000	-	RFQ	7729	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	212.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1522JI3A-50M00000	-	RFQ	2510	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		50MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1522JI3A-50M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1121CL2-040.0000T	-	RFQ	7438	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	40MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001BI5-001.6000T	-	RFQ	7882	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	1.6 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1103CI5-337.6000	-	RFQ	6996	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		337.6 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CI5-337.6000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1121CM1-010.0000T	-	RFQ	9719	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	10MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1122BL2-018.4320	-	RFQ	2286	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	18.432 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	58ma	MEMS	-	± 25ppm	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²