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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
HT-MM900AC-7K-EE-12M0000000	-	RFQ	7738	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		12MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-HT-MM900AC-7K-EE-12M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	5MA	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6001HE1A-018.4320	1.2000	RFQ	885	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		18.432 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	± 50ppm	-	-
DSC1505AI3A-66M66670	-	RFQ	9759	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		66.6667 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1505AI3A-66M66670	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	7.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	1µA (유형)
DSC6041JA3B-001.0240	-	RFQ	3407	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		1.024 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6041JA3B-001.0240	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6331JA2AB-025.0000	-	RFQ	3975	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6331	25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6331JA2AB-025.0000	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1018CI2-022.5792	-	RFQ	1417	마이크로 마이크로 기술	DSC1018	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		22.5792 MHz	CMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1004DI2-025.0000T	-	RFQ	5721	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1004	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.1ma	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001CL1-022.5790T	-	RFQ	7636	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	22.579 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6101JI2A-020.0000	-	RFQ	6796	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
VC-820-JAE-KAAN-20M0000000	-	RFQ	7342	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VT-860-EFW-5070-40M0000000	-	RFQ	7612	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-820-HAE-FAAN-25M0000000	-	RFQ	2664	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA1125CA1-012.0000TVAO	-	RFQ	3961	마이크로 마이크로 기술	DSA1125	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1125	12MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DI5-004.0000T	-	RFQ	3650	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	4 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VC-820-0044-25M0000000tr	-	RFQ	6377	마이크로 마이크로 기술	VC-820	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-820-0044-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화	7ma	결정	-	-	-	10µA
VC-709-119-156M250000	-	RFQ	7545	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6011HI1B-004.0000T	-	RFQ	5063	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		4 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HI1B-004.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VC-820-EAC-KAAN-66M6660000TR	-	RFQ	5776	마이크로 마이크로 기술	VC-820	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		66.666 MHz	CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-820-EAC-KAAN-66M6660000TR	귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화	9MA	결정	± 50ppm	-	-	5µA
VC-844-ECF-GAAN-156M250000TR	-	RFQ	7735	마이크로 마이크로 기술	VC-844	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-844-ECF-GAAN-156M250000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	66MA	결정	± 30ppm	-	-	-
DSA1001DI2-100.0000	-	RFQ	3859	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인								DSA1001DI2				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140
MV-9400AE-D1F-EEK100M000000	-	RFQ	5096	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC110111DE2-045.1584	-	RFQ	6764	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	45.1584 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	95µA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VT-841-JFE-5070-38M4000000	-	RFQ	6289	마이크로 마이크로 기술	VT-841	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		38.4 MHz	사인파를 사인파를	1.8V	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-	2.5MA	결정	± 500ppb	-	-	-
DSC1101CI2-066.6667T	-	RFQ	3490	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	66.6667 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
MXT573ABC200M000	-	RFQ	1387	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	MXT573ABC200M000	200MHz	LVCMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화	100ma	결정	± 5ppm	-	-	-
DSC1001BL1-027.0000T	1.0000	RFQ	5648	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6011CI2A-025.0000T	-	RFQ	6186	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC6011MI2B-014.7456	-	RFQ	9685	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		14.7456 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-014.7456	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6003JI2B-050.0000T	-	RFQ	2457	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JI2B-050.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1030DI1-030.0000	-	RFQ	9349	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		30MHz	CMOS	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²