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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1030DI1-042.5000	-	RFQ	5419	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		42.5 MHz	CMOS	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VC-801-EAE-KAAN-32M7680000	-	RFQ	9728	마이크로 마이크로 기술	VC-801	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-801-EAE-KAAN-32M7680000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	20MA	결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC6311JI2FB-020.0000	-	RFQ	5944	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6311	20MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JI2FB-020.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	80µA (타이핑)
DSC1101DI1-038.0000T	-	RFQ	9028	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	38MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	95µA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1001DI5-133.0000	2.1720	RFQ	4687	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	133 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC1-B3P-100M000000	-	RFQ	6759	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1103AE2-156.2500T	-	RFQ	9753	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103AE2-156.2500TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001AL5-024.0000	2.8000	RFQ	5194	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1123DI1-054.0000T	-	RFQ	8852	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		54 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DI1-054.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CL2-020.0000T	-	RFQ	6125	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1123CE1-156.2500	2.9000	RFQ	5264	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4644	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DI2-070.0000T	-	RFQ	5269	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	70MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DI2-070.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1121CI5-066.0000T	-	RFQ	9250	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	66MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6013JI2B-250K000	-	RFQ	1256	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6013	250 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	-	± 25ppm	-	-
VCC1-B3B-30M0000000	-	RFQ	7806	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121CM2-008.0000T	-	RFQ	8478	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1123DL1-100.0000T	-	RFQ	2598	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1123DL1-100.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CC1-026.0000	-	RFQ	1127	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	26 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DL3-024.0000	-	RFQ	8783	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.5MA	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC6011MI3B-048.0000T	-	RFQ	2717	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	48MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI3B-048.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1101CI5-040.0000	-	RFQ	2689	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	40MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101CI5-040.0000	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1101AE5-040.6080T	-	RFQ	7636	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101	40.608 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1001DE1-125.0000	-	RFQ	4394	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6011HI2B-048.0000	-	RFQ	7928	마이크로 마이크로 기술	-	가방	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HI2B-048.0000	귀 99	8542.39.0001	100
DSC1123NI5-156.2500	-	RFQ	2039	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	-	± 10ppm	-	22MA
DSC6111CE1A-026.7700	-	RFQ	4861	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26.77 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1103CI2-244.0000T	-	RFQ	6185	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	244 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6101JE2A-024.0000	-	RFQ	1579	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
HT-MM900AC-9F-EE-12M0000000	-	RFQ	5732	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VC-820-HAE-KAAN-50M0000000	-	RFQ	6316	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²