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발진기 (15893)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | DSC1201NI2-81M36000 | - | | 6694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 81.36 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NI2-81M36000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | ||
| DSC6013JI1B-033.3300 | - | | 5866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 33.33 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013JI1B-033.3300 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | |
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| DSC1001BL5-027.0000 | - | | 8384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BL5-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
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| DSC1502AI3A-24M00000 | - | | 8779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502AI3A-24M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() | ||
| DSC6011JI2B-012.2880 | - | | 4239 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI2B-012.2880 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | |
| DSC1001BI2-060.0000 | - | | 6373 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 60MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI2-060.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
| DSC6101JE2B-013.0000 | - | | 7561 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 13MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JE2B-013.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
| DSC6101JI2B-032K768 | - | | 1291 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI2B-032K768 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
| DSC6301JE1EB-001.0000 | - | | 2417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JE1EB-001.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | - | ||
| DSC1001DI2-006.1400 | - | | 6568 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.14 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI2-006.1400 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
| DSC6101JE3B-485K000 | - | | 3521 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 485 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JE3B-485K000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |
| VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 | - | | 3827 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VV-701 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.068 "(1.72mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 25MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 9MA | 결정 | ± 25ppm | ± 100ppm | - | - | ||
| DSC1101CI2-027.0000 | - | | 1940 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101CI2-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||
| DSC6001JL3B-024.0000 | - | | 3681 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JL3B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||
| DSC6001JI2B-016.7772 | - | | 7592 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 16.7772 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JI2B-016.7772 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||
| VT-827-EFH-2560-27M0000000TR | - | | 4924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 27 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-827-EFH-2560-27M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | - | 2MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | - | ||
| VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPB | - | | 1766 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-706 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 31.25 MHz | LVD | 2.5V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 60ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |
| DSC1502AI3A-100M0000T | - | | 5906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 100MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502AI3A-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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