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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
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![]() | DSC6112JI2B-024.0000 | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6112JI2B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA | |||
![]() | DSC6011ME1B-032K768 | - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011ME1B-032K768 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||
![]() | VC-826-ede-kaan-50M0000000 | - | ![]() | 6378 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC6001JI2A-010.0000T | - | ![]() | 6534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||
![]() | DSA1121CA2-125.0000TVAO | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1121CA2-125.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||
![]() | MX555ABA850M000 | - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | MX555ABA850M000 | 850MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6331HE1FA-016.0000 | - | ![]() | 8454 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 가방 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | 80µA (타이핑) | |||||
![]() | DSC1001CL5-044.0000 | - | ![]() | 8685 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 44 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1033CI1-050.0000T | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 4MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | |||
![]() | VT-501-DAG-106B-32M0000000 | - | ![]() | 4195 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-501 | 조각 | 활동적인 | -30 ° C ~ 80 ° C | - | 0.465 "L x 0.390"W (11.80mm x 9.90mm) | 0.087 "(2.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | vctcxo | 32 MHz | CMOS | 5V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-501-DAG-106B-32M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 진폭 진폭 | 24MA | 결정 | ± 1ppm | ± 8ppm | - | - | |||
![]() | DSC6083JI2A-032K786 | - | ![]() | 4114 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1121DE3-150.3330 | - | ![]() | 5685 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1121 | 150.333 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | - | ± 20ppm | - | 22MA | ||
![]() | DSA1101BA3-008.00000000TVAO | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1101 | 8 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101BA3-008.00000000TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC6003CI2A-016.0000T | - | ![]() | 1136 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.25MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1001CI1-064.0000T | - | ![]() | 9354 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 64 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | - | ± 50ppm | - | 15µA | |||
![]() | DSC1001BL5-001.1385T | - | ![]() | 1174 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 1.1385 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC1123CI2-432.0000 | 3.2000 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1123 | 432 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1121AM1-026.0000T | - | ![]() | 3960 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AM1-026.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||
![]() | DSC6003CI2A-027.7100 | - | ![]() | 1618 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 27.71 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1121CE2-066.6600T | - | ![]() | 3865 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 66.66 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | VCC1-B2D-40M0000000 | - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSA6101JL3B-027.00000000TVAO | - | ![]() | 3221 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSA6101 | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JL3B-027.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6111JI1B-026.0000T | 0.8640 | ![]() | 2994 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111JI1B-026.0000TTR | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||
![]() | VCC6-QCD-125M000000 | - | ![]() | 7805 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||
![]() | VC-820-EAE-KAAN-3M13600000 | - | ![]() | 7182 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 3.136 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-KAAN-3M13600000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | ||||
![]() | DSC6102MA2B-008.0000T | - | ![]() | 3028 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102MA2B-008.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
DSC6001HI2B-038.4000T | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 38.4 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI2B-038.4000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1003BI5-001.6500 | - | ![]() | 6777 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1003 | 1.65 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||
![]() | DSC6001HE2A-010.0000T | - | ![]() | 1691 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | - | ± 25ppm | - | - | |||||
![]() | DSC1001CL1-111.0000 | - | ![]() | 5757 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 111 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고