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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC1001DI2-036.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-036.0000T -
RFQ
ECAD 2287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 36 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-036.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123AI1-200.0000T Microchip Technology DSC1123AI1-200.0000T -
RFQ
ECAD 9226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - -
VC-709-HDE-FAAN-106M250000 Microchip Technology VC-709-HDE-FAAN-106M250000 -
RFQ
ECAD 9724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 14ma 결정 ± 25ppm - - -
HT-MM900AC-9K-JE-125M000000 Microchip Technology HT-MM900AC-9K-JE-125M000000 -
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 125MHz CMOS 1.8V - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-9K-JE-125M0000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 4.5MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001DI2-026.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-026.0000 -
RFQ
ECAD 1556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001MI2A-026.0000 Microchip Technology DSC6001MI2A-026.0000 -
RFQ
ECAD 2401 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103AL2-147.4560T Microchip Technology DSC1103AL2-147.4560T -
RFQ
ECAD 9374 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 147.456 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6011JI2A-024.0000 Microchip Technology DSC6011JI2A-024.0000 -
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001CI1A-016.0000 Microchip Technology DSC6001CI1A-016.0000 -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123CI5-096.0000 Microchip Technology DSC1123CI5-096.0000 -
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 96 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1004DL5-040.0000 Microchip Technology DSC1004DL5-040.0000 -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
MX554EBB80M0000-TR Microchip Technology MX554EBB80M0000-TR -
RFQ
ECAD 8619 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554EBB80M0000-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-801-DAC-KACN-25M0000000 Microchip Technology VC-801-DAC-KACN-25M0000000 -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123AI5-175.0000 Microchip Technology DSC1123AI5-175.0000 -
RFQ
ECAD 1514 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 175 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1001DI1-024.5760VAO Microchip Technology DSA1001DI1-024.5760VAO -
RFQ
ECAD 8889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 24.576 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-024.5760VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CL2-040.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-040.0000 -
RFQ
ECAD 6046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1104DL1-027.0000T Microchip Technology DSC1104DL1-027.0000T -
RFQ
ECAD 7405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1104 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001DI1-033.3333 Microchip Technology DSC1001DI1-033.3333 1.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1103DI1-080.0000 Microchip Technology DSC1103DI1-080.0000 -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 80MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103DI1-080.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-708-EDE-FNXN-156M961500 Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-156M961500 -
RFQ
ECAD 8387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.9615 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-EDE-FNXN-156M961500 귀 99 8542.39.0001 100 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
DSA1121BI3-012.2880VAO Microchip Technology DSA1121BI3-012.2880VAO -
RFQ
ECAD 6054 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 12.288 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121BI3-012.2880VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC6001HE2A-020.0000T Microchip Technology DSC6001HE2A-020.0000T -
RFQ
ECAD 1314 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BL2-020.0000 Microchip Technology DSC1001BL2-020.0000 1.0560
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1121CE2-066.6600 Microchip Technology DSC1121CE2-066.6600 -
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 66.66 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BI5-090.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-090.0000 2.2300
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 90MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
MV-9300AE-6F-ENK54M0000000 Microchip Technology MV-9300AE-6F-ENK54M0000000 -
RFQ
ECAD 1949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6001HI1A-004.0000T Microchip Technology DSC6001HI1A-004.0000T -
RFQ
ECAD 9635 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001BL5-027.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-027.0000T -
RFQ
ECAD 9536 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6111JL1B-050.0000 Microchip Technology DSC6111JL1B-050.0000 0.9480
RFQ
ECAD 6762 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JL1B-050.0000 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1123BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1123BI2-010.0000 -
RFQ
ECAD 6424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 10MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고