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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC6183CI1A-800K000T	-	RFQ	1999	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		800 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VT-820-EFE-1060-11M0592000	-	RFQ	2346	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121BM2-120.0000	-	RFQ	5841	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	120MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA1123CL2-100.0000TVAO	-	RFQ	4069	마이크로 마이크로 기술	DSA1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1123	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1123CL2-100.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1201DA3-25M00000T	-	RFQ	2882	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201DA3-25M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1123CI2-148.3516	-	RFQ	7001	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		148.3516 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123CI2-148.3516	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
MX775EBF644M531-TR	-	RFQ	3492	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-MX775EBF644M531-TR	귀 99	8541.60.0080	1,000
DSA1121DA2-050.0000VAO	-	RFQ	8726	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA2-050.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DI1-074.2500	1.0100	RFQ	2865	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	74.25 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6003JE2B-032K768T	-	RFQ	7791	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003	32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6003JE2B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
MX575ANN15M0000-TR	-	RFQ	9733	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ANN15M0000	15MHz	LVCMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	95MA	결정	± 50ppm	-	-	-
VCC1-1533-25M0000000	-	RFQ	2180	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	CMOS	-	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-1533-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	-	결정	-	-	-	30µA
DSC6111MI1A-008.0000	-	RFQ	2046	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
VC-827-JDE-KAAN-156M250000	-	RFQ	3553	마이크로 마이크로 기술	VC-827	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-827-JDE-KAAN-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1033AE1-005.0000	-	RFQ	7263	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1033	5 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VCC1-F3F-100M000000	-	RFQ	7151	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DL2-008.0000T	-	RFQ	8631	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC6-RCD-156M250000	-	RFQ	6606	마이크로 마이크로 기술	VCC6	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC6-RCD-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화	98ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001CL1-025.0000	-	RFQ	6073	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6111CI2A-020.0000T	-	RFQ	4986	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSA1101DA1-016.0000VAO	-	RFQ	5898	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		16MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1101DA1-016.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1122CI2-155.5200	-	RFQ	1624	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	155.52 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6001MI2B-024.0000	-	RFQ	5087	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6001MI2B-024.0000			100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
MX574EBA840M000-TR	-	RFQ	7383	마이크로 마이크로 기술	MX55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX574EBA840M000	840MHz	lvpecl	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	120ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6011JI2B-024.5760	-	RFQ	6651	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24.576 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-024.5760	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001CL1-111.0000T	-	RFQ	9683	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	111 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.7ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VV-800-1011-25M0000000	-	RFQ	9205	마이크로 마이크로 기술	VV-800	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		25MHz	-	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VV-800-1011-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-	-	결정	± 20ppm	-	-	-
VCC4-F3D-24M5760000	-	RFQ	6091	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001CI2A-064.0000	-	RFQ	6256	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		64 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6183HI2A-000K000	-	RFQ	8904	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	-	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²