SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1505AI3A-24M00000T Microchip Technology DSC1505AI3A-24M00000T -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-24M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
DSC1101DL1-050.0000T Microchip Technology DSC1101DL1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111DL1-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1505AI3A-125M0000T Microchip Technology DSC1505AI3A-125M0000T -
RFQ
 ECAD 1941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 125MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
VT-844-0001-14M7456000 Microchip Technology VT-844-0001-14M7456000 -
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-844 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - - 표면 표면 4-SMD,, 없음 - 14.7456 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-VT-844-0001-14M7456000 귀 99 8541.60.0080 100 - - 결정 - - - -
VT-860-EFE-5070-16M3680000 Microchip Technology VT-860-EFE-5070-16M3680000 -
RFQ
 ECAD 7237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 16.368 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-EFE-5070-16M3680000 귀 99 8542.39.0001 250 - 2.3ma 결정 ± 500ppb - - -
VT-822-HAE-2060-50M0000000TR Microchip Technology VT-822-HAE-2060-50M0000000TR -
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-822 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-822-HAE-2060-50M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 2ppm - - -
VC-711-EDW-KAAN-200M000000 Microchip Technology VC-711-EDW-KAAN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-EDW-KAAN-200M000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC4-B3D-11M2896000TR Microchip Technology vcc4-b3d-11m2896000tr -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.2896 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-B3D-11M2896000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC6-RAP-106M250000_SNPB Microchip Technology VCC6-RAP-106M250000_SNPB -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-vcc6-rap-106m250000_snpbtr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 100ppm - - -
VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR Microchip Technology VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-HAE-FAAN-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSA6301JA1AB-002.0000TVAO Microchip Technology DSA6301JA1AB-002.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 2 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6301JA1AB-002.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1522JE1A-25M00000T Microchip Technology DSC1522JE1A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JE1A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - -
VC-711-ECE-EAAN-156M250000 Microchip Technology VC-711-ECE-EAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-ECE-EAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 69ma 결정 ± 20ppm - - -
VC-708-EDE-FNXN-158M307700TR Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-158M307700TR -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 158.3077 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ED-FNXN-158M307700TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
VC-706-EDW-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-706-EDW-KAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-706 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-706-EDW-KAAN-156M250000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1123CE2-167.7722T Microchip Technology DSC1123CE2-167.7722T -
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 167.7722 MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CE2-167.7722TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1522JI1A-25M00000T Microchip Technology DSC1522JI1A-25M00000T -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1522JI1A-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - -
VC-801-1062-107M520000 Microchip Technology VC-801-1062-107M520000 -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 107.52 MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-1062-107M520000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 40ma 결정 - - - 30µA
DSC6011MI2B-012.0000T Microchip Technology DSC6011MI2B-012.0000T -
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI2B-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VC-708-EDE-FNXN-157M653800TR Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-157M653800TR -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 157.6538 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ED-FNXN-157M653800TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1221NI1-33M00000T Microchip Technology DSC1221NI1-33M00000T -
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 33MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221NI1-33M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC6001HL3B-032K768 Microchip Technology DSC6001HL3B-032K768 -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HL3B-032K768 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSA6011MA1B-032K768VAO Microchip Technology DSA6011MA1B-032K768VAO -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011MA1B-032K768VAO 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6011HI2B-008.0000 Microchip Technology DSC6011HI2B-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI2B-008.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VCC1-B3P-25M0000000TR Microchip Technology vcc1-b3p-25m0000000tr -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3P-25M0000000tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
VC-711-EDE-EAAN-125M000000TR Microchip Technology VC-711-ed-EAAN-125M000000TR -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-ede-EAAN-125M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 20ppm - - -
VCC6-RCF-100M000000_SNPB Microchip Technology VCC6-RCF-100M000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz lvpecl 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-RCF-100M000000_SNPB 귀 99 8541.60.0080 1 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 25ppm - - -
VC-801-EA7-KAAN-40M0000000 Microchip Technology VC-801-EA7-KAAN-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VT-827-EFH-2560-27M0000000 Microchip Technology VT-827-EFH-2560-27M0000000 -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-827 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 27 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-827-EFH-2560-27M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 - 2MA 결정 ± 2.5ppm - - -
VC-801-EAE-HAAN-125M000000 Microchip Technology VC-801-EAE-HAAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 32ppm - - 30µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다