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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VVC2-FHE-27M0000000 Microchip Technology VVC2-FHE-27M0000000 -
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101BM2-074.2500T Microchip Technology DSC1101BM2-074.2500T -
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 74.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC4-H3D-40M0000000 Microchip Technology VCC4-H3D-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 7013 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz CMOS 1.8V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-H3D-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
M921223CL1-63M00000 Microchip Technology M921223CL1-63M00000 -
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 63MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CL1-63M00000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1001DL5-006.4000T Microchip Technology DSC1001DL5-006.4000T -
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-006.4000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121DI1-080.0000 Microchip Technology DSC1121DI1-080.0000 -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 80MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121DI1-080.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1033AC1-025.0000T Microchip Technology DSC1033AC1-025.0000T -
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 ECAD 3460 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1033 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001AI2-074.2500T Microchip Technology DSC1001AI2-074.2500T -
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 74.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6332HA3AB-002.4576 Microchip Technology DSC6332HA3AB-002.4576 -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6332 2.4576 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6332HA3AB-002.4576 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1001CI1-066.6667T Microchip Technology DSC1001CI1-066.6667T -
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 66.6667 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1221CA2-25M00000 Microchip Technology DSC1221CA2-25M00000 -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1221 25MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CA2-25M00000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
VTC2-J11E-20M0000000 Microchip Technology VTC2-J11E-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123CI2-144.0000 Microchip Technology DSC1123CI2-144.0000 -
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 144 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSC1101BI5-010.0000 Microchip Technology DSC1101BI5-010.0000 -
RFQ
 ECAD 8369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1203CI2-100M0000T Microchip Technology DSC1203CI2-100M0000T -
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - - 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1203 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS - ± 25ppm - 5µA
VCC1-G3P-25M0000000TR Microchip Technology vcc1-g3p-25m0000000tr -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-G3P-25M0000000tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
VV-800-EAE-KAAN-74M17458000 Microchip Technology VV-800-EAE-KAAN-74M17458000 -
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1001CL5-008.0000T Microchip Technology DSC1001CL5-008.0000T 2.6800
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121CM1-030.0000T Microchip Technology DSC1121CM1-030.0000T -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1122DI5-272.8000 Microchip Technology DSC1122DI5-272.8000 -
RFQ
 ECAD 6553 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 272.8 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 58ma MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1121BI1-020.0000 Microchip Technology DSC1121BI1-020.0000 -
RFQ
 ECAD 1225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI1-020.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CE3-024.0000 Microchip Technology DSC1001CE3-024.0000 -
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CE3-024.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6331JA1CB-054.0000T Microchip Technology DSC6331JA1CB-054.0000T -
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 54 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA1CB-054.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1001DI5-022.5792T Microchip Technology DSC1001DI5-022.5792T -
RFQ
 ECAD 1941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001AE1-024.0000T Microchip Technology DSC1001AE1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA1223DL2-100M0000VAO Microchip Technology DSA1223DL2-100M0000VAO -
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223DL2-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1030BE1-008.0000 Microchip Technology DSC1030BE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 8 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1123CE1-125.0000 Microchip Technology DSC1123CE1-125.0000 2.9000
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA1001DI1-033.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-033.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 33MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-033.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC6-VCP-100M0000000 Microchip Technology VCC6-VCP-100M0000000 -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 조각 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz LVD 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-VCP-100M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 100ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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