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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-827-EDE-KAAN-212M500000 Microchip Technology VC-827-ede-kaan-212M500000 -
RFQ
 ECAD 6511 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-vc-827-ede-kaan-212m500000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1103AI1-160.0000T Microchip Technology DSC1103AI1-160.0000T -
RFQ
 ECAD 8593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 160MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1201NI2-81M36000T Microchip Technology DSC1201NI2-81M36000T -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 81.36 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NI2-81M36000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1033DI1-033.3330 Microchip Technology DSC103333DI1-033.3330 -
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 33.333 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6101MI1B-100.0000 Microchip Technology DSC6101MI1B-100.0000 -
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 100MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MI1B-100.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CI5-008.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-008.0000 2.5100
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - -
VX-805-ECE-KXXN-172M852000 Microchip Technology VX-805-ECE-KXXN-172M852000 -
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-805 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 172.852 MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VX-805-ECE-KXXN-172M852000 귀 99 8542.39.0001 10 - 90ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
VX-705-ECE-KXCN-120M000000 Microchip Technology VX-705-ECE-KXCN-1220M000000 -
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC6001HI2B-020.0000T Microchip Technology DSC6001HI2B-020.0000T 1.1040
RFQ
 ECAD 2695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6001HI2B-020.0000TTR 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6003CI2A-012.0000 Microchip Technology DSC6003CI2A-012.0000 -
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.25MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103CI5-106.2500T Microchip Technology DSC1103CI5-106.2500T -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 106.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6331JI2BB-024.0000T Microchip Technology DSC6331JI2BB-024.0000T -
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2BB-024.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6001HE2A-010.0000 Microchip Technology DSC6001HE2A-010.0000 -
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1124DI5-100.0000T Microchip Technology DSC1124DI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124DI5-100.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1124CL2-100.0000T Microchip Technology DSC1124CL2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6001HI2A-013.3333T Microchip Technology DSC6001HI2A-013.3333T -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VV-701-EAE-KNAB-24M5760000 Microchip Technology VV-701-EAE-KNAB-24M5760000 -
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC6-QAD-161M132800 Microchip Technology VCC6-QAD-161M132800 -
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1102BI2-160.0000 Microchip Technology DSC1102BI2-160.0000 -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 160MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1121BI5-025.6000 Microchip Technology DSC1121BI5-025.6000 -
RFQ
 ECAD 6381 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 25.6 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI5-025.6000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6001JE1B-020.0000T Microchip Technology DSC6001JE1B-020.0000T -
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE1B-020.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6083HE1A-500K000 Microchip Technology DSC6083HE1A-500K000 -
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 500 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1101AI5-032.0000 Microchip Technology DSC1101AI5-032.0000 -
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1122CI2-103.1250T Microchip Technology DSC1122CI2-103.1250T -
RFQ
 ECAD 3203 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 103.125 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BI5-100.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1103AI2-125.0000T Microchip Technology DSC1103AI2-125.0000T -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001AC5-012.8000T Microchip Technology DSC1001AC5-012.8000T -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 12.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001CL2-006.0053 Microchip Technology DSC1001CL2-006.0053 -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 6.0053 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-006.0053 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC4-E3D-14M3181800 Microchip Technology VCC4-E3D-14M3181800 -
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MX553SBB148M351-TR Microchip Technology MX553SBB148M351-TR -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX553SBB148M351 148.351648 MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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