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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-840-9003-50M0000000TR Microchip Technology VC-840-9003-50M0000000TR -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVCMOS - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-9003-50M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 - 결정 - - - 10µA
DSC6013HI2B-250K000T Microchip Technology DSC6013HI2B-250K000T -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6013 250 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1001AI5-014.7456T Microchip Technology DSC1001AI5-014.7456T -
RFQ
 ECAD 3085 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 10ppm - 15µA
DSC1121AI2-162.0000 Microchip Technology DSC1121AI2-162.0000 1.5800
RFQ
 ECAD 774 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 162 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121AE1-016.4000T Microchip Technology DSC1121AE1-016.4000T -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 16.4 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
MV-9300AE-3F-EES20M0000000 Microchip Technology MV-9300AE-3F-EES20M0000000 -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1001AI1-012.2880 Microchip Technology DSC1001AI1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6311JI1BA-028.6364T Microchip Technology DSC6311JI1BA-028.6364T -
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 28.6364 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC1001BI5-003.6864 Microchip Technology DSC1001BI5-003.6864 -
RFQ
 ECAD 6735 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6001JI3B-032K768 Microchip Technology DSC6001JI3B-032K768 -
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI3B-032K768 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001CI2-026.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-026.0000T 1.3500
RFQ
 ECAD 2154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-806-0005-212M500000_SNPB Microchip Technology VC-806-0005-212M500000_SNPB -
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-806 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-806-0005-212M500000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 250 - - 결정 - - - -
DSC1103CE5-156.2500 Microchip Technology DSC1103CE5-156.2500 -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6331ML1AB-020.0000 Microchip Technology DSC6331ML1AB-020.0000 -
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331ML1AB-020.0000 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1101CM5-027.0000T Microchip Technology DSC1101CM5-027.0000T -
RFQ
 ECAD 7450 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VCC1-B3B-60M0000000 Microchip Technology VCC1-B3B-60M0000000 -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121AE5-012.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-012.0000 -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 12MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001BI1-040.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 1257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CL5-030.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-030.0000 -
RFQ
 ECAD 3451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
MX573BBF156M250-TR Microchip Technology MX573BBF156M250-TR -
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573BBF156M250 156.25 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001DL5-032.0000 Microchip Technology DSC1001DL5-032.0000 2.0000
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1502AI3A-125M0000T Microchip Technology DSC1502AI3A-125M0000T -
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 125MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC1001AI2-066.6670 Microchip Technology DSC1001AI2-066.6670 1.0000
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 66.667 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1121BI3-016.0000TVAO Microchip Technology DSA1121BI3-016.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121BI3-016.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSC1222CI2-155M5200 Microchip Technology DSC1222CI2-155M5200 2.5080
RFQ
 ECAD 1974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1222 155.52 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222CI2-155M5200 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-H3E-19M4400000 Microchip Technology VCC1-H3E-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 9002 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123CI2-125.0000T Microchip Technology DSC1123CI2-125.0000T 3.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.88mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6301HL1FB-020.0000T Microchip Technology DSC6301HL1FB-020.0000T -
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HL1FB-020.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC6102JI1B-060.0000 Microchip Technology DSC6102JI1B-060.0000 -
RFQ
 ECAD 5043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6102 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JI1B-060.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSA1101BL3-050.0000VAO Microchip Technology DSA1101BL3-050.0000VAO -
RFQ
 ECAD 1717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101BL3-050.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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