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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
VT-822-0004-39M0000000TR	-	RFQ	1834	마이크로 마이크로 기술	VT-822	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		39MHz	CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VT-822-0004-39M0000000TR	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화	7ma	결정	-	-	-	-
DSC6331JI1CA-027.0000T	-	RFQ	2083	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	80µA (타이핑)
DSC1122BI2-133.3300	-	RFQ	4313	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		133.33 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC112BI2-133.3300	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1102CI1-108.0000T	-	RFQ	1624	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102	108 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	58ma	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VCC1-1549-33M33000	-	RFQ	1427	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.3333 MHz	CMOS	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-1549-33M3333000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-	-	결정	-	-	-	-
DSC1001CL1-150.0000	-	RFQ	9552	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	150MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	12.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1522JA2A-33M33333T	-	RFQ	7630	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		33.33333 MHz	LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1522JA2A-33M3333333TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	7.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1203BE3-100M0000T	-	RFQ	4981	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1203	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1203BE3-100M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
VCC1-F1C-36M8640000	-	RFQ	5197	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		36.864 MHz	CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-F1C-36M8640000TR	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	20MA	결정	± 100ppm	-	-	30µA
VX-805-0034-122M880000tr	-	RFQ	8980	마이크로 마이크로 기술	VX-705	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.082 "(2.09mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		122.88 MHz	-	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VX-805-0034-122M880000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	진폭 진폭	-	결정	± 20ppm	-	-	-
DSA1121CA2-125.0000VAO	-	RFQ	6852	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1121CA2-125.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6112JI2B-432K000T	-	RFQ	8249	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6112	432 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DL3-027.0000T	-	RFQ	4717	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
VC-806-0003-125M000000_SNPB	-	RFQ	3300	마이크로 마이크로 기술	VC-806	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	-	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VC-806-0003-125M000000_SNPBTR	귀 99	8542.39.0001	50	-	-	결정	-	-	-	-
VCC1-B3D-6M14400000	-	RFQ	8216	마이크로 마이크로 기술	VCC1	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		6.144 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3D-6M14400000	귀 99	8541.60.0080	100	활성화/비활성화	7ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC6311JE1FB-025.0000	-	RFQ	6722	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		25MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JE1FB-025.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	80µA (타이핑)
VCC6-QCD-156M253906	-	RFQ	3667	마이크로 마이크로 기술	VCC6	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.253906 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC6-QCD-156M253906TR	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	98ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1033AI1-024.0000	-	RFQ	2571	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)		24 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1121CE1-025.6000	-	RFQ	3102	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	25.6 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1001CI2-018.0000T	-	RFQ	5324	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	18 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1121DI5-010.0000	-	RFQ	5781	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	10MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1223CI2-156M0000T	-	RFQ	1436	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	156 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223CI2-156M0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC6011MI2B-026.0000T	-	RFQ	7288	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121AE5-022.5792T	-	RFQ	4038	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	22.5792 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
MX555ABG750M000	-	RFQ	9911	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX555ABG750M000	750MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1222CI2-156M2500T	-	RFQ	4862	마이크로 마이크로 기술	DSC12X2	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1222	156.25 MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1222CI2-156M2500T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	50MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC1101BI5-020.0000T	-	RFQ	7558	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	20MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	-	± 10ppm	-	95µA
DSC1001DL5-040.0000	2.0280	RFQ	7209	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001DI5-033.3333	-	RFQ	8108	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSA6311JL1AB-054.0000VAO	-	RFQ	6559	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		54 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6311JL1AB-054.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	1.5µA (()

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²