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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
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![]() | DSC1001DL5-016.3840T | - | ![]() | 6149 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 16.384 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC1004AI1-007.3728T | - | ![]() | 7625 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1004 | 7.3728 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1030BC1-004.0000T | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1030, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 4 MHz | CMOS | 3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||
![]() | DSC103333DI1-024.5760 | - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||
![]() | DSC1101AM2-030.0000 | - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1101 | 30MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1101CI1-012.0000 | - | ![]() | 8378 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 12MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1101CI2-032.0000T | - | ![]() | 8329 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 32 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1101CL1-125.0000 | - | ![]() | 1904 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 125MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1101NI5-016.3840T | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 16.384 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | - | |
![]() | DSC1102CI1-025.0000T | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1102 | 25MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC1102NI5-156.2500 | - | ![]() | 2162 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1102 | 156.25 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC1121DM2-026.0000 | - | ![]() | 8694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 26 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1101BE5-022.5792 | - | ![]() | 8460 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 22.5792 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSC1102BI2-114.2850 | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1102 | 114.285 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSC1121BM2-030.0000 | - | ![]() | 7235 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1121 | 30MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1123AI5-116.0000 | - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1123 | 116 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSC1001DI3-100.0000T | - | ![]() | 2352 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 100MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC1018DC0-080.0000T | - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.65V ~ 1.95V | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 4MA (유형) | MEMS | - | - | - | 1µA | ||||
![]() | DSC1001CE1-083.3300T | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 83.33 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC1001CI3-100.0000T | - | ![]() | 3036 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 100MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1001CL2-125.0000T | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 125MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC1001CL5-044.0000T | - | ![]() | 6527 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 44 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC6083CI2A-512K000T | - | ![]() | 1372 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 512 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC6301CI2AA-025.0000T | - | ![]() | 1065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||
![]() | DSC1001AE3-013.5600T | - | ![]() | 3313 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 13.56 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1003AI5-003.6864T | - | ![]() | 1083 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 3.6864 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |
![]() | DSC6331HE1FA-016.0000T | - | ![]() | 6150 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | 80µA (타이핑) | ||||
![]() | DSC6102MI2A-012.0000T | - | ![]() | 9010 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||
![]() | DSC6111MI2A-033.0000T | - | ![]() | 9379 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||
![]() | DSC6111JI2A-050.0000T | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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