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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| DSC1001DE1-033.3333T | - | | 3509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 33.3333 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
| VT-860-FFE-507D-26M0000000 | - | | 7821 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-860 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | vctcxo | 26 MHz | 사인파를 사인파를 | 3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-860-FFE-507D-26M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 2.3ma | 결정 | ± 500ppb | ± 12ppm | - | - | ||||
| VT-860-EFE-5070-38M4000000 | - | | 2251 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-860 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 38.4 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 2.3ma | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||||
 | DSC6101JI2B-100.0000T | - | | 4120 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6101 | 100MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI2B-100.0000T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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