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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC6183MI2A-032K768	-	RFQ	4600	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSA6111JL2B-016.0000VAO	-	RFQ	9555	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6111JL2B-016.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001BI2-033.0000T	-	RFQ	7189	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6013CE1A-006.1440	-	RFQ	5456	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		6.144 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6013CE1A-006.1440	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
VCC1-E3D-14M3181800	-	RFQ	6966	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1101AI2-100.0000T	-	RFQ	1033	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6332HA3AB-002.4576T	-	RFQ	8030	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6332	2.4576 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6332HA3AB-002.4576TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC6001JL1B-270K000	-	RFQ	7944	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		270 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JL1B-270K000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSA6331JL2AB-012.2880TVAO	-	RFQ	1069	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		12.288 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6331JL2AB-012.2880TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSA1121DA2-050.00000000TVAO	-	RFQ	8713	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1121	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1121DA2-050.0000000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1004DI2-050.0000T	-	RFQ	4572	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6112CI2A-083.2091	-	RFQ	8885	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		83.2091 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103CI3-060.0000	-	RFQ	4173	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	60MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	-	± 20ppm	-	95µA
DSC1103DI2-156.2500	-	RFQ	2348	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		156.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1103DI2-156.2500	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6311JI2LA-027.0000T	-	RFQ	5862	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1101111-080.0000t	-	RFQ	9937	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	80MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	95µA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSA1224CI3-350M00000000TVAO	-	RFQ	9759	마이크로 마이크로 기술	DSA12X4	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		350MHz	HCSL	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1224CI3-350M00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	40ma (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1121DI2-125.0000B	-	RFQ	4527	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
HT-MM900AC-7F-EE-50M0000000	-	RFQ	7997	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VCC4-F3D-24M0000000	-	RFQ	8334	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-827-HCE-KAAN-156M250000TR	-	RFQ	2875	마이크로 마이크로 기술	VC-827	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz	lvpecl	2.5V	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-827-HCE-KAAN-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	61ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6111CI2A-024.0000T	-	RFQ	7112	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6111CI2A-024.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1123BE1-266.6667	-	RFQ	6925	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		266.6667 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1123BE1-266.6667	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSA1004DL1-125.0000TVAO	-	RFQ	5657	마이크로 마이크로 기술	DSA1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		125MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1004DL1-125.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6001JI2B-001.0000	-	RFQ	9603	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	1MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI2B-001.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1105DL1-027.0000	-	RFQ	1428	마이크로 마이크로 기술	-	튜브	활동적인	-	-	-	-	-	-	xo (표준)	DSC1105		-	-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	-	-	MEMS	-	-	-	-
DSC1001AI2-024.0000	-	RFQ	3266	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001CI2-019.2000	-	RFQ	6020	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001CI5-099.9990T	-	RFQ	3690	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		99.999 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI5-099.9990TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC6011MI2B-040.0000	-	RFQ	5775	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-040.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²