SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
VT-803-0061-24M0000000 Microchip Technology VT-803-0061-24M0000000 -
RFQ
ECAD 2214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-803 조각 쓸모없는 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 24 MHz CMOS - 다운로드 150-VT-803-0061-24M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 3MA 결정 - - - -
VCC1-B1B-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B1B-25M0000000 -
RFQ
ECAD 6893 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-B1 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B1B-25M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC1-B3E-12M3520000 Microchip Technology VCC1-B3E-12M3520000 -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-B3 12.352 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-12M3520000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VT-803-GFE-207C-40M0000000 Microchip Technology VT-803-GFE-207C-40M0000000 -
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-803 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 2.8V 다운로드 150-VT-803-GFE-207C-40M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 3.4ma 결정 ± 200ppb ± 10ppm - -
VC-820-0010-114M285000 Microchip Technology VC-820-0010-114M285000 7.2300
RFQ
ECAD 9853 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VC-820 114.285 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-0010-114M285000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 25ppm - - 10µA
DSC1033CI1-012.0000T Microchip Technology DSC1033CI1-012.0000T -
RFQ
ECAD 2495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1018DC2-024.0000 Microchip Technology DSC1018DC2-024.0000 -
RFQ
ECAD 8247 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1018 24 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1522ML2A-52M08333 Microchip Technology DSC1522ML2A-52M08333 -
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 52.08333 MHz LVCMOS 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - 7.8ma
DSC1522JL2A-50M00000 Microchip Technology DSC1522JL2A-50M00000 1.0200
RFQ
ECAD 9049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz LVCMOS 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 140 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - 7.8ma
DSC1523JI1A-4M000000 Microchip Technology DSC1523JI1A-4M000000 -
RFQ
ECAD 3731 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz LVCMOS 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 140 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 50ppm - - 7.8ma
DSC6111JI1B-012.0000 Microchip Technology DSC6111JI1B-012.0000 0.8640
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-012.0000 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111BI2B-020.0000 Microchip Technology DSC6111BI2B-020.0000 0.9720
RFQ
ECAD 2817 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI2B-020.0000 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6111CI1B-020.0000 Microchip Technology DSC6111CI1B-020.0000 0.8760
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111CI1B-020.0000 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
HTM6101JA2B-100.0000 Microchip Technology HTM6101JA2B-100.0000 -
RFQ
ECAD 2109 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA TCXO 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA2B-100.0000 140 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
M906111CI2B-080.0000 Microchip Technology M906111CI2B-080.0000 -
RFQ
ECAD 9666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9061XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-M906111CI2B-080.0000 110 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6111JE1B-024.0000 Microchip Technology DSC6111JE1B-024.0000 -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JE1B-024.0000 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111BI1B-033.3330 Microchip Technology DSC6111BI1B-033.3330 0.9240
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111BI1B-033.3330 72 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111JI1B-100.0000 Microchip Technology DSC6111JI1B-100.0000 0.9960
RFQ
ECAD 3428 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-100.0000 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111JI1B-033.3330T Microchip Technology DSC6111JI1B-033.3330T 0.8640
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-033.3330TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1223CL2-156M2500T Microchip Technology DSC1223CL2-156M2500T 3.0720
RFQ
ECAD 5506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-DSC1223CL2-156M2500TTR 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1124DL5-156.2500T Microchip Technology DSC1124DL5-156.2500T -
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 150-DSC1124DL5-156.2500TTR 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6111BI1B-020.0000T Microchip Technology DSC6111BI1B-020.0000T 1.2000
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111HI1B-024.0000T Microchip Technology DSC6111HI1B-024.0000T 1.0440
RFQ
ECAD 9279 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111HI1B-024.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI2-096.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-096.0000T -
RFQ
ECAD 3005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 96 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 11.9ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC6083CI1A-010K000T Microchip Technology DSC6083CI1A-010K000T 1.0100
RFQ
ECAD 827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
DSC1221CL2-25M00000T Microchip Technology DSC1221CL2-25M00000T -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1221 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CL2-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC6001JI1A-050.0000 Microchip Technology DSC6001JI1A-050.0000 -
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1003CI5-080.0000 Microchip Technology DSC1003CI5-080.0000 -
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 80MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6101CI2A-033.3333T Microchip Technology DSC6101CI2A-033.3333T -
RFQ
ECAD 8556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1103AE2-135.0000T Microchip Technology DSC1103AE2-135.0000T -
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고