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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1101AM1-160.0000T Microchip Technology DSC1101AM1-160.0000T 1.8480
RFQ
 ECAD 7730 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 160MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 150-DSC1101AM1-160.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1033CE2-025.0000T Microchip Technology DSC103333CE2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
VCC6-QCB-37M0000000 Microchip Technology VCC6-QCB-37M0000000 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1122CI2-148.3516 Microchip Technology DSC1122CI2-148.3516 -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 148.3516 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1003CI1-070.0000T Microchip Technology DSC1003CI1-070.0000T -
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 70MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 9.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1122DL1-072.0000T Microchip Technology DSC1122DL1-072.0000T -
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 72 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122DL1-072.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1102AI2-156.2540T Microchip Technology DSC1102AI2-156.2540T 2.5320
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 156.254 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1030DC1-010.0000T Microchip Technology DSC1030DC1-010.0000T -
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 10MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1103BI2-135.0000 Microchip Technology DSC1103BI2-135.0000 2.9700
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1122CL1-156.2500T Microchip Technology DSC1122CL1-156.2500T -
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
090-02789-003 Microchip Technology 090-02789-003 -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 SA.45S CSAC 쟁반 활동적인 - - 1.600 "L x 1.390"W (40.64mm x 35.31mm) 0.460 "(11.68mm) 구멍을 구멍을 12-DIP 9, 9 개의 리드 원자 16.384 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-090-02789-003 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 ± 500ppt - - -
DSC1121BM1-030.0000 Microchip Technology DSC1121BM1-030.0000 1.6080
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 30MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123AI5-100.0000 Microchip Technology DSC1123AI5-100.0000 -
RFQ
 ECAD 5689 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6112CI2A-083.3545 Microchip Technology DSC6112CI2A-083.3545 -
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 83.3545 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1001DI1-019.2000VAO Microchip Technology DSA1001DI1-019.2000VAO -
RFQ
 ECAD 5292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 19.2 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI1-019.2000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121BM1-050.0000T Microchip Technology DSC1121BM1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123DE1-148.3516T Microchip Technology DSC1123DE1-148.3516T -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 148.3516 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 50ppm - 22MA
DSC1103AE1-125.0000T Microchip Technology DSC1103AE1-125.0000T -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1123AI5-155.5200 Microchip Technology DSC1123AI5-155.5200 -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 155.52 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001DE2-100.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6101MI2A-096.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-096.0000T -
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 96 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101BM2-027.0000T Microchip Technology DSC1101BM2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001AE3-013.5600T Microchip Technology DSC1001AE3-013.5600T -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 13.56 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1102CI5-156.2500T Microchip Technology DSC1102CI5-156.2500T -
RFQ
 ECAD 5452 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6083CI2A-032K768T Microchip Technology DSC6083CI2A-032K768T -
RFQ
 ECAD 2300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1102AE1-156.2500T Microchip Technology DSC1102AE1-156.2500T -
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6301CI2AA-025.0000T Microchip Technology DSC6301CI2AA-025.0000T -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSA1124CI2-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1124CI2-100.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1124CI2-100.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6101MI2A-064.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-064.0000T -
RFQ
 ECAD 1246 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 64 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSA6101JL3B-087.0655TVAO Microchip Technology DSA6101JL3B-087.0655TVAO -
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSA6101 87.0655 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JL3B-087.0655TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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