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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1123DL1-125.0000	3.3000	RFQ	5918	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1101CI2-164.0000	-	RFQ	1953	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	164 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
VCA1-A0B-2M45760000	-	RFQ	5881	마이크로 마이크로 기술	*	튜브	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001DE1-024.0000	0.8500	RFQ	2449	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VCC6-LCF-250M000000	-	RFQ	8044	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1522ML2A-52M08333T	-	RFQ	1750	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		52.08333 MHz	LVCMOS	2.5V, 3.3V	다운로드	Rohs3 준수						1,000	활성화/비활성화	7.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	7.8ma
VPC1-B1E-12M8000000	-	RFQ	1584	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VCC4-B3B-25M0000000	-	RFQ	9594	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1101111DI5-018.4320	-	RFQ	2104	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	18.432 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	-	± 10ppm	-	95µA
DSC6311JI1FB-075.0000T	-	RFQ	5128	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		75MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6311JI1FB-075.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	1.5µA (()
DSC1001DI2-033.3330T	-	RFQ	3187	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.333 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DI2-033.3330TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
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DSC6301JI2AA-025.0000	-	RFQ	4382	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1004BI5-016.0000T	-	RFQ	3434	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1004	16MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.1ma	MEMS	± 10ppm	-	-	-
CD-700-LAF-GAB-25M6000000	-	RFQ	4496	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	200
DSC1201BA3-10M00000	-	RFQ	8800	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201	10MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201BA3-10M00000	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1004CI2-033.0000	-	RFQ	9496	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1004	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VX-705-ECE-KEAN-80M0000000_SNPB	-	RFQ	6010	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50
DSC1101BM1-100.0000T	-	RFQ	5191	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	100MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VCC1-B1D-36M0000000	-	RFQ	6042	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		36 MHz	CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B1D-36M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	20MA	결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC1001DI2-011.0592	0.9100	RFQ	9350	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	11.0592 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC6-1335-125M000000	-	RFQ	2838	마이크로 마이크로 기술	VCC6	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz	-	-	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC6-1335-125M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	-	결정	-	-	-	-
VC-714-ECE-FNAN-200M000000TR	-	RFQ	2132	마이크로 마이크로 기술	VC-714	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.071 "(1.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		200MHz	lvpecl	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-714-ECE-FNAN-200M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	70ma	결정	± 25ppm	-	-	-
DSC1001BI5-008.0000	1.9400	RFQ	5590	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121BL5-012.0000	-	RFQ	8956	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	12MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1033DE2-100.0000B	-	RFQ	6716	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	100MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기 (다운 전원)	10MA	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1104CE1-100.0000	-	RFQ	6998	마이크로 마이크로 기술	DSC1104	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1104	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	42MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6001MI2A-032.0000	1.1600	RFQ	737	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6051JI3B-032K768	-	RFQ	5475	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6051JI3B-032K768	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	1.5µA
DSC6011MI2A-012.0000T	-	RFQ	7258	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		12MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²