전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VCC6-QCF-160M000000TR | - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 160MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-QCF-160M000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1 | 활성화/비활성화 | 98ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1001DI5-054.0000T | - | ![]() | 2693 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 54 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.1ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | - | ||
DSA1001DL2-049.5000VAO | - | ![]() | 7534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 49.5MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||
![]() | DSC1123AI2-100.0000T | 2.9700 | ![]() | 3772 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1123 | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSA6041JA3B-016.0000TVAO | - | ![]() | 5580 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6041JA3B-016.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||
DSC6003MI3B-026.0000 | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003MI3B-026.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1001CL1-012.2880 | - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1001CE1-026.0000T | - | ![]() | 9336 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 26 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | VC-844-ECE-FAAN-156M250000TR | - | ![]() | 6335 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-844 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | lvpecl | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-844-ECE-FAAN-156M250000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 66MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||
![]() | MO-9250AE-C1E-EE312M507810 | - | ![]() | 5446 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | |||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001CE2-060.0000 | - | ![]() | 1997 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 60MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CE2-060.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1123DL2-156.2500T | - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123DL2-156.2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
![]() | DSA1001CL2-125.0000TVAO | - | ![]() | 1692 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001CL2-125.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||
![]() | DSC1123NE1-100.0000 | - | ![]() | 1614 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1123 | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 22MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||
![]() | VCC1-B3R-83M3330000 | - | ![]() | 9069 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC1018BC1-080.0000T | - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DSC1018BC1080.0000T | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 5MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||
![]() | DSC1003BL3-020.0000T | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1003 | 20MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||
![]() | DSC1001AI2-065.5360T | - | ![]() | 7741 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 65.536 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1001BL5-072.0000T | - | ![]() | 6474 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 72 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||
![]() | DSC103333DI2-060.0000 | - | ![]() | 2680 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1033 | 60MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 4MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | ||
![]() | DSC6013HI2A-033.6000T | - | ![]() | 7587 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33.6 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||
![]() | DSC1004DC1-026.0000 | - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1004 | 26 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSC1103DL5-125.0000T | - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSC6003CI2A-033.0000 | 1.0900 | ![]() | 488 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 33MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
![]() | DSC1003AL5-025.0000T | - | ![]() | 2953 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1003 | 25MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 10ppm | - | - | - | ||
![]() | VVC4-DHD-25M0000000 | - | ![]() | 5535 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | VC-826-ECE-FAAN-25M0000000 | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC1030BC1-003.6864T | - | ![]() | 3358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1030, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 3.6864 MHz | CMOS | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | |||
![]() | DSC1101AE1-016.0000T | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1101 | 16MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | - | ± 50ppm | - | 95µA | |||
![]() | MO-9000AE-6F-JE-33M3333333 | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고