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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VC-709-121-148M351600 Microchip Technology VC-709-121-148M351600 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA6112JA2B-016.0000VAO Microchip Technology DSA6112JA2B-016.0000VAO -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112JA2B-016.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VCC1-A3C-27M0950000 Microchip Technology VCC1-A3C-27M0950000 -
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 ECAD 1035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DE2-026.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-026.0000T -
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 ECAD 2791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6083CI1A-425K000 Microchip Technology DSC6083CI1A-425K000 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 425 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
VCC1-109-30M0000000 Microchip Technology VCC1-109-30M0000000 -
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 ECAD 9829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1123BI5-148.5000T Microchip Technology DSC1123BI5-148.5000T -
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 ECAD 2294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1123CI2-156.2500VAO Microchip Technology DSA1123CI2-156.2500VAO -
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 ECAD 4534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn 그래서 (톱) 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CI2-156.2500VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6001CI2A-001.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-001.0000 -
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 ECAD 5924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-820-EAW-FAAN-20M0000000 Microchip Technology VC-820-EAW-FAAN-20M0000000 -
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 ECAD 7595 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC4-B3C-33M3330000 Microchip Technology VCC4-B3C-33M3330000 -
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 ECAD 6526 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1124CE1-050.0000T Microchip Technology DSC1124CE1-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 50MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
VTA7-1011-10M0000000 Microchip Technology VTA7-1011-10M0000000 -
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 ECAD 3585 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vta7 튜브 마지막으로 마지막으로 - - 0.800 "L x 0.500"W (20.32mm x 12.70mm) 0.395 "(10.03mm) 구멍을 구멍을 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기 크기, 금속 캔) vctcxo 10MHz CMOS, TTL - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VTA7-1011-10M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 - 35MA 결정 - - - -
DSC1101BI1-012.5000 Microchip Technology DSC1101BI1-012.5000 -
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 ECAD 9075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6111CI2A-023.5200T Microchip Technology DSC6111CI2A-023.5200T -
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 ECAD 6869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.52 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI5-014.7456T Microchip Technology DSC1001BI5-014.7456T -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
VCC1-B2D-50M0000000 Microchip Technology VCC1-B2D-50M0000000 -
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 ECAD 2947 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011JI3B-032K768T Microchip Technology DSC6011JI3B-032K768T -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI3B-032K768T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VT-803-0021-32M0000000 Microchip Technology VT-803-0021-32M0000000 -
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 ECAD 7442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 150-VT-803-0021-32M0000000TR 쓸모없는 500
VC-801-EAE-EAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-801-EAE-EAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001AE1-049.1520T Microchip Technology DSC1001AE1-049.1520T -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 49.152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
DSA6051JI2B-001.0240VAO Microchip Technology DSA6051JI2B-001.0240VAO -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1.024 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6051JI2B-001.0240VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSA6331JL2CB-048.0000VAO Microchip Technology DSA6331JL2CB-048.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2CB-048.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1124BE1-125.0000 Microchip Technology DSC1124BE1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 125MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6013HI2B-032K768T Microchip Technology DSC6013HI2B-032K768T -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6013 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1001CI2-024.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-024.0000 1.2300
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123AL1-150.0000 Microchip Technology DSC1123AL1-150.0000 2.3640
RFQ
 ECAD 2244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CE5-148.0000 Microchip Technology DSC1001001001CE5-148.0000 1.9400
RFQ
 ECAD 7875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 148 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6331ML1GB-020.0250 Microchip Technology DSC6331ML1GB-020.0250 -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 20.025 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331ML1GB-020.0250 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - -0.25%, 하향 확산 -
VC-820-EAE-SAAN-4M00000000_SNPB Microchip Technology VC-820-EAE-SAAN-4M00000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 9623 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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