SIC
close

발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VT-820-GFH-1560-21M5000000 Microchip Technology VT-820-GFH-1560-21M5000000 -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VCC1-B3R-15M3600000 Microchip Technology VCC1-B3R-15M3600000 -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6013CE1A-002.0000T Microchip Technology DSC6013CE1A-002.0000T -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1101AM2-156.2500T Microchip Technology DSC1101AM2-156.2500T -
RFQ
 ECAD 4078 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101AM2-156.2500TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6101JE3B-032K768T Microchip Technology DSC6101JE3B-032K768T -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE3B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VTC4-B21C-26M0000000 Microchip Technology VTC4-B21C-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6111HI2B-033.3300T Microchip Technology DSC6111HI2B-033.3300T -
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111HI2B-033.3300TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001CI5-005.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-005.0000 -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI5-005.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1124DI1-027.0000 Microchip Technology DSC1124DI1-027.0000 -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 27 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1101BL5-024.0000 Microchip Technology DSC1101BL5-024.0000 -
RFQ
 ECAD 8084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC1122AE1-005.0000 Microchip Technology DSC1122AE1-005.0000 -
RFQ
 ECAD 1706 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1122 5 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS - ± 50ppm - 22MA
DSC1018CE1-026.0000T Microchip Technology DSC1018CE1-026.0000T -
RFQ
 ECAD 5954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC6001HI2A-072.0000T Microchip Technology DSC6001HI2A-072.0000T -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CI2-033.3333T Microchip Technology DSC1001CI2-033.3333T 1.2300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VV-701-DAT-KNAE-22M5792000 Microchip Technology VV-701-DAT-KNAE-22M5792000 -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011MA3B-006K000 Microchip Technology DSC6011MA3B-006K000 -
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 6 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA3B-006K000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VX-805-ECE-KEAN-128M000000 Microchip Technology VX-805-ECE-KEAN-128M000000 -
RFQ
 ECAD 2378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC6003JI2B-307K000 Microchip Technology DSC6003JI2B-307K000 -
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 307 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-307K000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CL1-020.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-020.0000T 1.3900
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX553ABD212M500-TR Microchip Technology MX553ABD212M500-TR -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX553ABD212M500-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1223CI3-100M0000 Microchip Technology DSC1223CI3-100M0000 -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CI3-100M0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSA1101DA3-122.8800TVAO Microchip Technology DSA1101DA3-122.8800TVAO -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 122.88 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA3-122.8800TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1030DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1030DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 19.2 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
M906111CI2B-016.0000T Microchip Technology M906111CI2B-016.0000T -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9061XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-M906111CI2B-016.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI2-032.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-032.0000T -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BI1-060.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-060.0000T -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VT-820-FFR-1060-10M0000000 Microchip Technology VT-820-FFR-1060-10M0000000 -
RFQ
 ECAD 9592 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1105DA1-022.5792VAO Microchip Technology DSA1105DA1-022.5792VAO -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1105 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1105 22.5792 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1105DA1-022.5792VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6111JI1B-001.8432 Microchip Technology DSC6111JI1B-001.8432 0.8640
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1.8432 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JI1B-001.8432 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001CI1-050.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-050.0000 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4608 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다