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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1001DI5-019.6800	-	RFQ	6822	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	19.68 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	-	± 10ppm	-	15µA
DSA6331JA1BB-100.0000VAO	-	RFQ	8199	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6331	100MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA6331JA1BB-100.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	-	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
DSC1123DE1-100.0000T	-	RFQ	6754	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	100MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DI2-029.5000	1.2200	RFQ	625	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	29.5MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001BI2-033.0000	0.9600	RFQ	3268	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1104DL3-100.0000T	-	RFQ	4649	마이크로 마이크로 기술	DSC1104	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1104	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	42MA	MEMS	-	± 20ppm	-	95µA
DSC1001BL5-018.4320T	-	RFQ	2971	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001AI5-032.0000	1.9600	RFQ	2842	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	32 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	7.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121CM1-036.0000	-	RFQ	7635	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	36 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6001HI2B-032K768T	-	RFQ	6714	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001HI2B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DE2-016.0000T	-	RFQ	8968	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	16MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001DI1-030.0000T	-	RFQ	5458	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	30MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6011JI2B-020.0000	-	RFQ	9886	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		20MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-020.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6001JI3B-032K768T	-	RFQ	9845	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	32.768 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI3B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1203DI2-270M0000	-	RFQ	3091	마이크로 마이크로 기술	DSC1203	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		270 MHz	LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1203DI2-270M0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	32MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	5µA
DSC103333DI1-048.0000T	-	RFQ	5169	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		48MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	4MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1122AE2-075.0000T	-	RFQ	2183	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1122	75MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1122AE2-075.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001DI3-012.2880T	-	RFQ	3836	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	12.288 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DI3-012.2880T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1221DA3-25M00000	-	RFQ	6708	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1221	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DA3-25M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	27MA (타이핑)	MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
M911221CI1-125M0000T	-	RFQ	7827	마이크로 마이크로 기술	M9112X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드				150-M911221CI1-125M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	27MA (타이핑)	MEMS	± 50ppm	-	-	5µA
VT-820-JFG-5060-30M0000000	-	RFQ	2431	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001BL2-050.0000	1.3700	RFQ	720	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6101ME1B-026.0000T	-	RFQ	6212	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6101ME1B-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6011JI2A-019.2000	-	RFQ	3579	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		19.2 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6011MA3B-020.0000	-	RFQ	3398	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	20MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MA3B-020.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1003CL2-027.0000T	-	RFQ	7696	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	27 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.1ma	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121AL5-041.5000T	-	RFQ	7095	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1121	41.5 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121AL5-041.5000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1121DL2-025.0000T	1.2120	RFQ	8459	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VX-705-ECE-KXAN-161M132800	-	RFQ	4949	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
DSC1001BL5-150.0000T	-	RFQ	7327	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	150MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	12.2MA	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²