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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC1123DL2-125.0000T Microchip Technology DSC1123DL2-125.0000T -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1203NA1-20M00000 Microchip Technology DSC1203NA1-20M00000 -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NA1-20M00000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC1101AE1-024.0000T Microchip Technology DSC1101AE1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1101 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
DSC1001BC1-020.0000T Microchip Technology DSC1001BC1-020.0000T 1.0375
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001BI1-032.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-032.0000T -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6011HI2A-040.0000T Microchip Technology DSC6011HI2A-040.0000T -
RFQ
 ECAD 4716 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BL5-050.0000T Microchip Technology DSC1001BL5-050.0000T -
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001DI5-025.6000 Microchip Technology DSC1001DI5-025.6000 -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1121AE1-025.0000 Microchip Technology DSC1121AE1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CI2-066.6666 Microchip Technology DSC1001CI2-066.6666 -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 66.6666 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6011CI2A-007.3728T Microchip Technology DSC6011CI2A-007.3728T -
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001AE1-048.0000T Microchip Technology DSC1001AE1-048.0000T 1.0200
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-820-EAW-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-820-EAW-FAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1033CI1-048.0000 Microchip Technology DSC1033CI1-048.0000 -
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001DI5-100.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-100.0000 2.7800
RFQ
 ECAD 3335 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001DI5-040.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-040.0000 -
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121DE1-010.0000T Microchip Technology DSC1121DE1-010.0000T -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA6331MA1AB-027.0000VAO Microchip Technology DSA6331MA1AB-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6331 27 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331MA1AB-027.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
VCC4-B3D-19M4400000 Microchip Technology VCC4-B3D-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 4636 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011HI2A-012.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-012.0000 -
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1223CA1-200M0000VAO Microchip Technology DSA1223CA1-200M0000VAO -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CA1-200M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
CD-700-LAF-GKB-32M7680000 Microchip Technology CD-700-LAF-GKB-32M7680000 -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
VCC1-B3E-12M3500000TR Microchip Technology VCC1-B3E-12M3500000TR -
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.35 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-12M3500000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
MX554EBC20M0000 Microchip Technology MX554EBC20M0000 -
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX554EBC20M0000 20MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1101CI5-050.0000 Microchip Technology DSC1101CI5-050.0000 2.1750
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC6111BI2B-012.2880T Microchip Technology DSC6111BI2B-012.2880T 1.2600
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSA1001DI2-100.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI2-100.0000VAO -
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 100MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-100.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1001DI3-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI3-020.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 20MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI3-020.00000000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1001CI2-010.4857T Microchip Technology DSC1001CI2-010.4857T -
RFQ
 ECAD 8501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 10.4857 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VC-708-HDW-FNXN-171M925063 Microchip Technology VC-708-HDW-FNXN-171M925063 -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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