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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC6311JL2AB-027.0000T | - |  | 2576 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6311 | 27 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JL2BAB-027.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||
 | DSC6003MI2B-032K768T | - | | 7279 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6003 | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003MI2B-032K768TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
| DSC6013CE1A-006.1440T | - | | 4913 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.144 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 150-DSC6013CE1A-006.1440TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||
| DSC6312CI2EA-010.0000T | - | | 3966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 10MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 150-DSC6312CI2EA-010.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | - | ||||
| DSC1223DI2-156M2500T | - | | 8626 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1223 | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1223DI2-156M2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | ||
 | DSC6001HE3B-027.1200T | - | | 4388 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6001 | 27.12 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HE3B-027.1200TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||
| DSC6331MA1AB-025.0000T | - | | 1642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6331 | 25MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331MA1AB-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||
| DSC6311CI1AA-020.0000T | - | | 8675 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 20MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 150-DSC6311CI1AA-020.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||||
 | DSC1101BL5-022.1184T | - | | 1377 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 22.1184 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC110110111BL5-022.1184TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||
| DSC6011HI3B-064.0128 | - | | 7549 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 64.0128 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HI3B-064.0128 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||
| DSC6003MI2B-032K768 | - | | 9161 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6003 | 32.768 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003MI2B-032K768 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||
| DSC1101BI1-145.2000 | - | | 3770 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 145.2 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101BI1-145.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||
| DSC6331CI2CA-012.0000 | - | | 4677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 12MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 150-DSC6331CI2CA-012.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | - | ||||
 | DSC1121AL5-041.5000 | - | | 8568 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 41.5 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AL5-041.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |
| DSC1121AL2-041.5000 | - | | 6892 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 41.5 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AL2-041.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |
 | DSC1101DE2-008.0000T | - | | 6854 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 8 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101DE2-008.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |
| DSC1223CI2-156M2500 | 2.4600 | | 6086 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1223 | 156.25 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1223CI2-156M2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |
| DSC1121AE2-041.5000 | - | | 8883 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 41.5 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AE2-041.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
| DSC1004DE1-026.0000 | - | | 1498 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1004 | 26 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1004DE1-026.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |
| DSC1121AE2-041.5000T | - | | 7933 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 41.5 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AE2-041.5000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||
| DSC1124CL5-100.0000T | - | | 6634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1124 | 100MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1124CL5-100.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||
| DSC1121AI5-041.5000 | - | | 8202 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 41.5 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AI5-041.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |
| DSA6102JL3B-037.1250TVAO | - | | 3060 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 37.125 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6102JL3B-037.1250TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||
| DSA6011MA3B-020.0000VAO | - | | 6612 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6011MA3B-020.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() | |||
| DSC6013HL2B-048.0000 | - | | 8691 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 48MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013HL2B-048.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA | |||
| DSC6053HE1B-006.2500T | - | | 1723 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6053 | 6.25 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6053HE1B-006.2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA | ||
| DSC1103BE5-100.0000 | - | | 1316 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103BE5-100.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||
| DSC6001HI1B-025.0000 | - | | 1517 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HI1B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||
| DSA1101BL3-040.0000VAO | - | | 2056 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1101 | 40MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101BL3-040.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | ||
| DSC1001DI2-014.3181 | - | | 2877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 14.3181 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI2-014.3181 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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