RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
DSC1121DI1-075.0000T	-	RFQ	4624	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	75MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1122NI5-200.0000	-	RFQ	6267	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	200MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1122NI5-200.0000	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
VCC4-B3F-32M7680000	-	RFQ	2153	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001JI1B-460K800T	-	RFQ	9230	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	460.8 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6001JI1B-460K800T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC6111JE1B-012.0000	0.8400	RFQ	2025	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		12MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JE1B-012.0000			140	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSA11011-016.0000TVAO	-	RFQ	7986	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		16MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1101DA1-016.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1033CI2-050.0000	-	RFQ	1329	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	50MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	10MA	MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC6101MI3B-025.0000	-	RFQ	3546	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101MI3B-025.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
HT-MM900AC-7E-EE-10M0000000	-	RFQ	3530	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1103CI5-150.0000	-	RFQ	2825	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	150MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6111HL3B-027.0000	-	RFQ	2929	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6111	27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6111HL3B-027.0000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1001AI2-040.3200T	-	RFQ	6939	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	40.32 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1103AI5-125.0000T	-	RFQ	5142	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1103	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103AI5-125.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1122BI1-025.0000T	-	RFQ	4498	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1122	25MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	58ma	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1121CI5-050.0000T	-	RFQ	5579	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
OX-221-0105-20M000	-	RFQ	9049	마이크로 마이크로 기술	OX-221	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	1.000 "L x 0.866"W (25.40mm x 22.00mm)	0.486 "(12.35mm)	표면 표면	7-SMD,, 없음	OCXO		20MHz	LVCMOS	3.3v	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-	700ma	결정	± 4.6ppm	-	-	-
DSC1103CE1-266.7000	-	RFQ	1535	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	266.7 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	32MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1123CE2-167.7722	-	RFQ	7818	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		167.7722 MHz	LVD	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC1123CE2-167.7722	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1121AL5-024.5760	-	RFQ	8328	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	24.576 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSA6011JI2B-008.0000VAO	-	RFQ	5884	마이크로 마이크로 기술	DSA60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA6011JI2B-008.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001DI4-066.5800T	-	RFQ	6968	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	66.58 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	7.2MA	MEMS	-	-	-	15µA
DSC1001CI1-038.4000T	-	RFQ	4417	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		38.4 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI1-038.4000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VC-708-ECW-KNXN-192M000000	-	RFQ	1974	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1101NI2-018.7500T	-	RFQ	7978	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	18.75 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101NI2-018.7500T	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1123AI2-055.0000	-	RFQ	8997	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		55MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1123AI2-055.0000	귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1123CL1-287.0000T	-	RFQ	2079	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	287 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA	MEMS	-	± 50ppm	-	22MA
DSC6101HA3B-050.0000	-	RFQ	2859	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		50MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101HA3B-050.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1121DI1-060.0000	-	RFQ	3331	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	60MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSA1101BA3-025.0000TVAO	-	RFQ	3536	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BA3-025.00000000TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC1001BL5-030.0000	-	RFQ	5990	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	30MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	7.1MA	MEMS	± 10ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²