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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
DSC1001CI1-006.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-006.0000 -
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 6MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6101JI2A-050.0000T Microchip Technology DSC6101JI2A-050.0000T -
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 12µA
VT-860-JFE-5070-40M0000000 Microchip Technology VT-860-JFE-5070-40M0000000 -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VT-840-GFJ-5070-12M8000000 Microchip Technology VT-840-GFJ-5070-12M8000000 -
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-709-HDE-FAAN-24M5400000_SNPB Microchip Technology VC-709-HDE-FAAN-24M5400000_SNPB -
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 24.54 MHz LVD 2.5V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 14ma 결정 ± 25ppm - - -
DSC1121DI1-025.0000T Microchip Technology DSC1121DI1-025.0000T -
RFQ
ECAD 2174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1033AE1-040.0000T Microchip Technology DSC1033AE1-040.0000T -
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1033 40MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCC6-QCD-125M000000-1KREEL Microchip Technology VCC6-QCD-125M000000-1KREEL -
RFQ
ECAD 6750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101MI2A-006.1679 Microchip Technology DSC6101MI2A-006.1679 -
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 6.1679 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001CL2-003.1250T Microchip Technology DSC1001CL2-003.1250T -
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6001MI1A-038.0000T Microchip Technology DSC6001MI1A-038.0000T -
RFQ
ECAD 2779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-B2C-66M0000000TR Microchip Technology vcc1-b2c-66m0000000tr -
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B2C-66M0000000tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 30ma 결정 ± 100ppm - - -
DSC6112HI2B-100.0000 Microchip Technology DSC6112HI2B-100.0000 -
RFQ
ECAD 1654 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6112HI2B-100.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DL5-012.2880T Microchip Technology DSC1001DL5-012.2880T 2.0280
RFQ
ECAD 3758 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1033DI1-026.0000T Microchip Technology DSC103333DI1-026.0000T -
RFQ
ECAD 9266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123CE1-156.2500T Microchip Technology DSC1123CE1-156.2500T 2.1900
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 DSC1123CE1-156.2500TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001AI5-018.4320 Microchip Technology DSC1001AI5-018.4320 -
RFQ
ECAD 2348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 xo (표준) DSC1001 18.432 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001CI2-049.1520T Microchip Technology DSC1001CI2-049.1520T 1.0875
RFQ
ECAD 3652 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 49.152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103DI5-125.0000T Microchip Technology DSC1103DI5-125.0000T -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC1224DL1-100M0000T Microchip Technology DSC1224DL1-100M0000T -
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1224 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224DL1-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC1033DI1-066.6660 Microchip Technology DSC103333DI1-066.6660 -
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 4MA MEMS ± 50ppm ± 50ppm - 1µA
DSC1001DL5-080.0000 Microchip Technology DSC1001DL5-080.0000 2.2700
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA1001DI2-027.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI2-027.0000VAO -
RFQ
ECAD 9741 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 27 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-027.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC4-G3B-125M000000 Microchip Technology VCC4-G3B-125M000000 -
RFQ
ECAD 9783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-G3B-125M000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 36MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1121CL5-003.3000T Microchip Technology DSC1121CL5-003.3000T -
RFQ
ECAD 7159 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 3.3 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121CL5-003.3000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001BE1-125.0000 Microchip Technology DSC1001BE1-125.0000 1.3700
RFQ
ECAD 565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1121AE2-125.0000T Microchip Technology DSC1121AE2-125.0000T -
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1121DI1-075.0000T Microchip Technology DSC1121DI1-075.0000T -
RFQ
ECAD 4624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 75MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1122NI5-200.0000 Microchip Technology DSC1122NI5-200.0000 -
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 200MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1122NI5-200.0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
VCC4-B3F-32M7680000 Microchip Technology VCC4-B3F-32M7680000 -
RFQ
ECAD 2153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고