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발진기 (15893)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
M921223NI3-200M0000T Microchip Technology M921223NI3-200M0000T -
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI3-200M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
M911221BI1-40M00000T Microchip Technology M911221BI1-40M00000T -
RFQ
 ECAD 2805 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221BI1-40M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 5µA
HTM6101MA2B-012.0000 Microchip Technology HTM6101MA2B-012.0000 -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101MA2B-012.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
HTM6101JA1B-050.0000 Microchip Technology HTM6101JA1B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101JA1B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
M906101JI2B-033.3333T Microchip Technology M906101JI2B-033.3333T -
RFQ
 ECAD 1565 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9061XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 150-M906101JI2B-033.33333333333333333333333333333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
M911201CI3-80M00000 Microchip Technology M911201CI3-80M00000 -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 80MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911201CI3-80M00000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
M911221BI3-25M00000T Microchip Technology M911221BI3-25M00000T -
RFQ
 ECAD 7791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9112X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 150-M911221BI3-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
VCC1-B3C-103M680000 Microchip Technology VCC1-B3C-103M680000 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 103.68 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3C-103M680000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 50ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
VC-801-DAE-EAAN-18M4320000 Microchip Technology VC-801-DAE-EAAN-18M4320000 -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz CMOS 5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-DAE-EAAN-18M4320000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 20ppm - - 30µA
VC-801-HAW-FAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-801-Haw-Faan-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-HAW-FAAN-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
VCC1-B3C-10M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-B3C-100000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3C-100000000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 100ppm - - 30µA
VCC4-H3F-12M0000000 Microchip Technology VCC4-H3F-12M0000000 -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-H3F-12M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
VC-709-EDE-FAAN-200M000000 Microchip Technology VC-709-EDE-FAAN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-709-EDE-FAAN-200M000000 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 25ppm - - -
VCC4-F3D-64M0000000 Microchip Technology VCC4-F3D-64M0000000 -
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 64 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-F3D-64M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 30µA
VC-708-ECW-KNXN-200M000000 Microchip Technology VC-708-ECW-KNXN-200M000000 -
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz lvpecl 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ECW-KNXN-200M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1 - 65MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-B1B-25M0000000TR Microchip Technology VCC1-B1B-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B1B-25M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VCC1-B3E-12M3520000TR Microchip Technology VCC1-B3E-12M3520000TR -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.352 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-12M3520000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VC-820-EAE-KAAN-66M6660000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-66M6660000 -
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-EAE-KAAN-66M6660000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 9MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
VT-841-EFE-106B-40M0000000 Microchip Technology VT-841-EFE-106B-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-EFE-106B-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
VC-840-9005-12M80000000TR Microchip Technology VC-840-9005-12M80000000TR -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-840 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.8 MHz LVCMOS - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-840-9005-12M80000000TR 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 - 결정 - - - 10µA
VT-841-EFE-5070-40M0000000 Microchip Technology VT-841-EFE-5070-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 1194 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-EFE-5070-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 2.5MA 결정 ± 500ppb - - -
VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR Microchip Technology VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz CMOS 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 5.5MA 결정 ± 50ppm - - 5µA
DSA6001JA2B-003K277VAO Microchip Technology DSA6001JA2B-003K277VAO -
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 3.277 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JA2B-003K277VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC6011JI1B-024.0000 Microchip Technology DSC6011JI1B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3161 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI1B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6101JE1B-030.0000 Microchip Technology DSC6101JE1B-030.0000 -
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 30MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE1B-030.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101JA3B-024.0000T Microchip Technology DSC6101JA3B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA3B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6331JA3AB-004.0000T Microchip Technology DSC6331JA3AB-004.0000T -
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA3AB-004.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123CL2-027.0000T Microchip Technology DSC1123CL2-027.0000T -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL2-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1004CL2-030.0000T Microchip Technology DSC1004CL2-030.0000T -
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 30MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004CL2-030.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6101JA3B-024.0000 Microchip Technology DSC6101JA3B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA3B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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