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발진기 (15893)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
MX554BBG322M265	-	RFQ	6919	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX554BBG322M265	322.265625 MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	60	활성화/비활성화	90ma	결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6311JE1EA-025.0000T	-	RFQ	2109	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		25MHz	LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6001CE2A-025.6000	-	RFQ	7525	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25.6 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC1-A3B-40M0000000	-	RFQ	8301	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VCC1-F3D-24M0000000	-	RFQ	1375	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1004DC1-100.0000	-	RFQ	5275	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1004	100MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VV-701-EAE-PNEE-45M0000000	-	RFQ	6725	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
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DSC1001DI3-133.0000	-	RFQ	2960	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	133 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	16.6MA	MEMS	-	± 20ppm	-	15µA
DSA1101DA1-022.5792TVAO	-	RFQ	4996	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		22.5792 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1101DA1-022.5792TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	35MA	MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VT-807-FFE-256C-26M0000000	-	RFQ	6785	마이크로 마이크로 기술	VT-807	조각	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.059 "(1.50mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	vctcxo		26 MHz	사인파를 사인파를	3V	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0080	100	진폭 진폭	2MA	결정	± 2.5ppm	± 10ppm	-	-
VCC1-A3F-14M7456000	-	RFQ	9990	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001AL5-018.4320T	-	RFQ	2051	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음	xo (표준)	DSC1001	18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.3ma	MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSA6301JL3AB-054.0000VAO	-	RFQ	1461	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6301	54 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA6301JL3AB-054.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC6101ML2B-066.6666	-	RFQ	6830	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	66.6666 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6101HI3B-019.2000T	-	RFQ	4224	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 20ppm	-	-	-
VCC1-B3R-80M0000000_SNPB	-	RFQ	5854	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		80MHz	CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3R-80M0000000_SNPBTR	귀 99	8542.39.0001	10	활성화/비활성화	30ma	결정	± 50ppm	-	-	30µA
VCC6-RCD-80M0000000	-	RFQ	5494	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6011JI2A-032.7680T	-	RFQ	5319	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.768 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-	-	-
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DSC6101CI1A-024.0000	-	RFQ	5481	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1123BI2-206.0000	-	RFQ	7150	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	206 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	22MA	MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6111HE1A-033.3300	-	RFQ	2413	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		33.33 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)	3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSA1001BI2-125.0000VAO	-	RFQ	9794	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		125MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001BI2-125.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	10.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
HTM6101MA1B-125.0000T	-	RFQ	5865	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드				150-HTM6101MA1B-125.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1123AI2-135.0000	-	RFQ	7597	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1123	135 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	32MA	MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VTB1-4A0-40M0000000	-	RFQ	5590	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VTC2-J05B-27M0000000	-	RFQ	5120	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
MO-9000AE-4F-EE-20M0000000	-	RFQ	1346	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VC-840-JAJ-KAAN-20M8000000	-	RFQ	7885	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (15893)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²