- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
발진기 (23)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 다른 다른 | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | OC7E14740XCDDRX | - |  | 7546 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E14740XCDDRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T40000XCCD3RX | - | | 9120 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 40MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T40000XCCD3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | |
| OCE728224XCCBRX | - | | 8198 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OCE728224XCCCCRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T53000XCDD3RX | - | | 2443 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 53MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T53000XCDD3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| OC7T42500XCDD3RX | - | | 3157 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 42.5 MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T42500XCDD3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| FTR-3040 | - | | 7376 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 대부분 | 활동적인 | 4951-FTR-3040 | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T50000XCDS3RX | - | | 9748 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T50000XCDS3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| OC7E7760XCBDXX | - | | 1847 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E7760XCBDXXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7E16384XCBDRB | - | | 1927 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E16384XCBDRBTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7E01025XCDNRX | - | | 4057 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E01025XCDNRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T53125XCDE3RX | - | | 9062 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 53.125 MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T53125XCDE3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| OC7E70656XCCDRX | - | | 8551 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E70656XCCDRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| VC0750000XCBDRA | - | | 3051 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-VC0750000XCBDRART | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T57800XCDE3RX | - | | 6865 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 57.8 MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T57800XCDE3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| OC7E06000XHCDXX | - | | 9318 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E06000XHCDXXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T56000XCCD3RX | - | | 7370 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 56MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T56000XCCD3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | |
| OC7T49610XCDE3RX | - | | 8843 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 49.61 MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T49610XCDE3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |
| OC7E66666XCCBRA | - | | 8033 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E66666XCCBRATR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7E66000XCCDRX | - | | 3390 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E66000XCCDRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7E3300XCDARX | - | | 7002 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7E3300XCDARXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OCET03686XCCDRX | - | | 4710 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OCET03686XCCDRXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7S44000XCAARX | - | | 7922 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 4951-OC7S44000XCAARXTR | 1 | ||||||||||||||||||
| OC7T50000XCDD3RX | - | | 7218 | 0.00000000 | WI2WI/w 장치 | OC7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.200"W (7.00mm x 5.08mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS, TTL | 3.3v | 4951-OC7T50000XCDD3RXTR | 1 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)