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발진기 (180351)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
3QHTF57-116.500-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	116.5 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-116.500-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-128.067-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	128.067 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-128.067-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-26.384-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	26.384 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-26.384-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-49.750-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.75 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-49.750-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
QMQF326P33-2.5B-644.53125	33.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	644.53125 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QMQF326P33-2.5B-644.53125	귀 99	8541.60.0050	3	-	51MA (유형)	결정	± 2.5ppm	-	-
25QHTF53-16.357-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	16.357 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-16.357-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-31.200-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	31.2 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-31.200-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-58.600-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	58.6 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-58.600-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-97.000-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	97 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-97.000-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-54.432-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	54.432 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-54.432-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF53-10.00001-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	10.00001 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-10.00001-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-61.440-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	61.44 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-61.440-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-27.003375-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	27.003375 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-27.003375-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-42.000-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	42 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-42.000-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-171.7977-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	171.7977 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-171.7977-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-21.850-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	21.85 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-21.850-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-19.444-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	19.444 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-19.444-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-196.1905-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	196.1905 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-196.1905-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF22-54.28875-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	54.28875 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-54.28875-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
qvmqf326p33-2.0a-161.000	34.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	161 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF326P33-2.0A-161.000	귀 99	8541.60.0050	3	활성화/비활성화	43MA (유형)	결정	± 2ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
3QHTF32-194.400-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	194.4 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-194.400-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
VMQF576P33-48.0048-1.0/-40+85	37.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	48.0048 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-VMQF576P33-48.0048-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0060	3	진폭 진폭	38MA (유형)	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
VMQF576D25-24.5536-1.0/-40+85	37.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	24.5536 MHz	LVD	2.5V	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-VMQF576D25-24.5536-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0060	3	진폭 진폭	23MA (유형)	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
18QHTF57-13.5212-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	13.5212 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-13.5212-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-124.990-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	124.99 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-124.990-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-165.000-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	165 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-165.000-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-49.920-OE	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.92 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-49.920-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-145.750-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	145.75 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-145.750-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-43.750-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	43.75 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-43.750-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-161.133-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	161.133 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-161.133-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (180351)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²