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발진기 (180351)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
3QHM572d0.25-48.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	48MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM572d0.25-48.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
3QHTF32-153.250-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	153.25 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-153.250-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF32-156.251-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	156.251 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-156.251-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-50.540-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	50.54 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-50.540-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-39.936-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	39.936 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-39.936-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-166.66666-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	166.66666 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-166.66666-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF53-24.5536-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	24.5536 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-24.5536-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF21-50.498-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	50.498 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF21-50.498-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF57-52.800-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	52.8 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-52.800-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-49.152-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.152 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-49.152-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-50.566667-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	50.566667 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-50.566667-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-32.90324-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	32.90324 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-32.90324-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-112.896-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	112.896 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-112.896-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-16.0915-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	16.0915 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-16.0915-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-18.176-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	18.176 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-18.176-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-10.5375-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	10.5375 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-10.5375-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-156.0117-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	156.0117 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-156.0117-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-88.4736-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	88.4736 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-88.4736-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHM572D2.0-143.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	143 MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHM572D2.0-143.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-2.00%,, 스프레드
18QHTF57-68.1818-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	68.1818 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-68.1818-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
QVMQF326T25-2.5B-49.152	33.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	49.152 MHz	CMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF326T25-2.5B-49.152	귀 99	8541.60.0060	3	활성화/비활성화	21MA (유형)	결정	± 2.5ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
3QHTF57-27.150-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	27.15 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-27.150-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
QMQF576P25-2.0A-32.000	36.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	32 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QMQF576P25-2.0A-32.000	귀 99	8541.60.0050	3	-	30MA (유형)	결정	± 2ppm	-	-
3QHTF53-24.000-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	24 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-24.000-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-11.050-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	11.05 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-11.050-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-41.6666-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	41.6666 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-41.6666-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-66.600-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	66.6 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-66.600-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF32-12.920-PD	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	12.92 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF32-12.920-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-74.813422-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	74.813422 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-74.813422-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-3.2753-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	3.2753 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-3.2753-OE	귀 99	8541.60.0030	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (180351)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²