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발진기 (180351)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
3QHTF53-60.300-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	60.3 MHz	LVCMOS	3.3v	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-60.300-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-86.875-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	86.875 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-86.875-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-24.1086-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	24.1086 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-24.1086-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
MQF326D25-122.880-2.5/-30+85	33.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	122.88 MHz	LVD	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		2425-MQF326D25-122.880-2.5/-30+85	귀 99	8541.60.0060	1	활성화/비활성화	27ma	결정	± 2.5ppm	-	-	18MA (유형)
18QHTF22-48.587364-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	48.587364 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-48.587364-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-54.78625-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	54.78625 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-54.78625-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF22-3.490-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	3.49 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-3.490-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF53-67.400-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	67.4 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-67.400-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHM53D1.0-16.777216	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	16.777216 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53D1.0-16.777216	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-1.00%, 00 확산
3QHTF53-144.23077-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	144.23077 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-144.23077-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-40.444-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	40.444 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-40.444-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-19.069928-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	19.069928 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-19.069928-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-49.4133-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	49.4133 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-49.4133-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-25.125-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	25.125 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-25.125-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-18.400-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	18.4 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-18.400-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHM53d0.25-44.0055	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	44.0055 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53D0.25-44.0055	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
3QHTF32-151.250-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	151.25 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF32-151.250-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-74.9291-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	74.9291 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-74.9291-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF22-57.503667-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	57.503667 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-57.503667-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHM53C2.0-81.100	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	81.1 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53C2.0-81.100	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 2.00%, 00 스프레드
VMQF326T33-19.680-1.0/-40+85	35.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo	19.68 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-VMQF326T33-19.680-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0050	3	진폭 진폭	24MA (유형)	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
3QHM53C0.125-28.750	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO	28.75 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53C0.125-28.750	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	± 0.125%, 센터 스프레드
18QHTF22-4.1924-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	4.1924 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-4.1924-OE	귀 99	8541.60.0030	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-50.538-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	50.538 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-50.538-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	24MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-7.0333-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	7.0333 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-7.0333-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-20.5972-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	20.5972 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-20.5972-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-3.0732-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	3.0732 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-3.0732-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-14.476-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	14.476 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-14.476-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-1.12896-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	1.12896 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-1.12896-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-19.500-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	19.5MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-19.500-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (180351)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²