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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	기술	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	지름	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대	r @ current
B72724D0200A062	0.6400	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0612 (1632 메트릭)						56 PF @ 1 MHz		4		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000									22 v	25 v			30 a	-
B57364S0259M000	2.4800	RFQ	637	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)									CQC, UL, VDE					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	250						0.827 "(21.00mm)													2.5 옴	11 a
B72225T4381K101	1.3181	RFQ	9960	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드		열 열	B72225T			675 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250								385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	20 ka	600J
B72530T6500K062	0.9800	RFQ	57	epcos -tdk 전자 장치	서지 서지	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	1210 (3125 31)						1200 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000								50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	1.2 ka	3J
B72214S1140K152	1.0400	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm			B72214S			10 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								14 v	16 v	19.8 v	22 v	24.2 v	1 ka	4J
B88069X2580S102	-	RFQ	4662	epcos -tdk 전자 장치	FS	조각	쓸모없는	-							구멍을 구멍을	축 축										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100															800 v	-	아니요
B57237S259M53	0.2600	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	S237	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)									ul					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.591 "(15.00mm)													2.5 옴	6.5 a	74 Mohms
B72210S0551K392	0.4430	RFQ	4262	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			120 pf @ 1 kHz		1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0551K392TB	귀 99	8533.40.4000	3,000								550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	2.5 ka	60J
B88069X8591B102	-	RFQ	7662	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는								-	-										-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	100
B88069X1480S102	-	RFQ	6668	epcos -tdk 전자 장치	-	조각	쓸모없는								-	-										-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	100
B72220S0621K502	1.0048	RFQ	1826	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	20mm			B72220			380 pf @ 1 kHz		1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220S0621K502	귀 99	8533.40.4000	250								625 v	825 v	900 v	1kv	1.1 kV	6.5 ka	230J
B88069X7580B502	1.2136	RFQ	8256	epcos -tdk 전자 장치	T20	대부분	활동적인	-							사용자 사용자	실린더 실린더 없습니다										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	3														350 v	20000a (20ka)	아니요
B72241L0251K100	10.4328	RFQ	8523	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C (TA)						섀시 섀시	40mm			B72241L			2900 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	50								250 v	320 v	351 v	390 v	429 v	50 ka	490J
B72500E2170S170	0.0902	RFQ	2137	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)						75 PF @ 1 MHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	16,000								17 v	22 v	24.38 v	32.5 v	40.63 v	30 a	0.075J
B88069X8901B502	-	RFQ	1000	epcos -tdk 전자 장치	T21	쟁반	쓸모없는	-							-	-										다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	500																-	아니요
B88069X8821B502	-	RFQ	5895	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	쓸모없는																			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	G31-H36X	귀 99	8543.70.9860	500
B59360U0180B010	-	RFQ	3054	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	쓸모없는		-	-		-	-	-	-	-	-				-		-			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1			-
B72532V1140S262	-	RFQ	6814	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-						-	-										-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000														-
B72210S0750K151	0.4800	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			720 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500								75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	2.5 ka	12j
B72207S1390K201	-	RFQ	1368	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)						구멍을 구멍을	7mm			B72207S					1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								48 v	50 v	58.5 v	65 v	71.5 v		3J
B72510T0080L062	0.4200	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)						350 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000								8 v	11 v	12.75 v	15 v	17.25 v	120 a	0.2J
B59910C0130A070	5.9900	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-		0.197 "(5.00mm)	0.866 "dia x 0.138"t (22.00mm x 3.50mm)	1.004 "(25.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹				ur		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	700		10 a	80V	1 a	1.5 a													1.2 옴
B72500T0040M060	0.4000	RFQ	41	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)						200 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000								4 v	5.5 v	6.4 v	8 v	9.6 v	30 a	0.1J
B72547E3140S200	-	RFQ	8523	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	테이프 & tr (TR)	활동적인				범용				구멍을 구멍을	방사형				혼합 혼합				1	-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							40V
B59955C0120A070	1.7100	RFQ	288	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200		0.197 "(5.00mm)	0.532 "dia x 0.138"t (13.50mm x 3.50mm)	0.669 "(17.00mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹				ur		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		5.5 a	30V	850 MA	1.7 a													800 Mohms
B59940C0120A070	2.1300	RFQ	821	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	-		0.197 "(5.00mm)	0.866 "dia x 0.138"t (22.00mm x 3.50mm)	1.004 "(25.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹				ur		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000		8 a	80V	450 MA	900 MA													2.3
B59860C0160A070	1.6800	RFQ	400	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-		0.197 "(5.00mm)	0.433 "dia x 0.197"t (11.00mm x 5.00mm)	0.571 "(14.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹				ur		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,300		1.5 a	160V	180 MA	360 MA													15 옴
B72210S0600K501	0.5100	RFQ	391	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S			870 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	2.5 ka	10J
B72214P2301K101	0.6300	RFQ	17	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm			B72214p			485 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500								300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B72530T6400K062	0.9300	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	높은 높은	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)						표면 표면	1210 (3225 메트릭)		-				2000 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500								40 v	58 v	64.8 v	72 v	79.2 v	1 ka	4J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²