RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

회로 회로 (2856)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	지름	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대	r @ current
B72220Q0231K101	1.6100	RFQ	241	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-45 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	방사형			B72220Q		1350 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	15 ka	180J
B72205S0231K111	0.4600	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm			B72205S		70 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							230 v	300 v	324 v	360 v	396 v	400 a	7.2J
B72530T0600K062	0.5700	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)					200 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000							60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	200a	2J
B72225T4381K101	1.3181	RFQ	9960	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	새로운 새로운 아닙니다		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드		열 열	B72225T		675 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	20 ka	600J
B72210S2141K101	0.4600	RFQ	43	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		470 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							140 v	180 v	198 v	220 v	242 v	3.5 ka	27.5J
B72650M0350K093	0.3956	RFQ	8296	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-					표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)							1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							35 v	45 v	50.4 v	56 v	61.6 v	100 a	1.1J
B88069X4570T103	-	RFQ	7570	epcos -tdk 전자 장치	M51	테이프 & tr (TR)	활동적인	-						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	1,000	2													510 v	1000a (10ka)	아니요
B88069X0410T502	-	RFQ	9944	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500														400 v	-	아니요
B72205S0950K211	0.1298	RFQ	1803	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	5mm			B72205S		185 PF @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,500							95 v	125 v	135 v	150 v	165 v	400 a	3.4J
B72207S0301K211	0.4100	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm			B72207S		100 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	1.2 ka	23J
B88069X3060C253	1.9100	RFQ	4466	epcos -tdk 전자 장치	T30	대부분	활동적인	± 20%						사용자 사용자	실린더 실린더 없음, 3 터미널								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	2,500	3													230 v	1000a (10ka)	아니요
B88069X2040S102	3.5700	RFQ	226	epcos -tdk 전자 장치	L71	대부분	활동적인	-						구멍을 구멍을	축 축								다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	100	2													680 v	5000A (5ka)	아니요
B59850C0130A070	1.6300	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인		0 ° C ~ 60 ° C	-	0.197 "(5.00mm)	0.433 "dia x 0.197"t (11.00mm x 5.00mm)	0.571 "(14.50mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹			ur		-		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,300		1.5 a	265V	200 MA	320 MA												13 옴
B57236S0200M051	1.0000	RFQ	6	epcos -tdk 전자 장치	S236	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.197 "(5.00mm)								ul				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.453 "(11.50mm)												20 옴	2.8 a
B57153S0200M051	0.8100	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	S153	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%															다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,500						0.335 "(8.50mm)												20 옴
B57213P0509M351	0.4751	RFQ	2011	epcos -tdk 전자 장치	p13	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)								-				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,500						0.571 "(14.50mm)												5 옴	6 a	106 Mohms
B72240L0381K102	9.8626	RFQ	8491	epcos -tdk 전자 장치	Highe	상자	활동적인							섀시 섀시	37.5mm, 탭			B72240L				1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	40 ka	800J
B72522V0350K062	-	RFQ	6618	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-					-	-								-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	2,000													-
B72220S2950K101	0.4504	RFQ	3700	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-					구멍을 구멍을	20mm			B72220					-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500													-
B88069X0830B103	-	RFQ	1683	epcos -tdk 전자 장치	-	쟁반	활동적인	± 15%						표면 표면	2-SMD								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8543.70.9860	1,000	2													230 v	5000A (5ka)	아니요
B72220S0111K101	0.9400	RFQ	50	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm			B72220		2100 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	6.5 ka	60J
B57464S0109M000	6.3300	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	S464	대부분	활동적인	± 20%			0.295 "(7.50mm)								-				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	200						1.024 "(26.00mm)												1 옴	20 a
B72210S0170K101	0.5100	RFQ	9	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		4350 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500							17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	500 a	2.5J
B57235S0100M051	1.0000	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	S235	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.197 "(5.00mm)								CQC, UL, VDE				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,500						0.374 "(9.50mm)												10 옴	3 a
B57153S0100M051	0.6400	RFQ	36	epcos -tdk 전자 장치	S153	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%			0.197 "(5.00mm)								ul				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8533.40.8070	1,500						0.335 "(8.50mm)												10 옴	2 a	340 Mohms
B72220S0400K101	0.9400	RFQ	19	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	20mm			B72220		6750 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250							40 v	56 v	61.2 v	68 v	74.8 v	2 ka	37J
B72210S2271K104	0.2760	RFQ	6806	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	디스크 10mm			B72210S		220 pf @ 1 kHz		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2271K104	귀 99	8533.40.4000	3,000							275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	3.5 ka	55J
B57236S0250M000	0.9700	RFQ	29	epcos -tdk 전자 장치	S236	대부분	활동적인	± 20%			0.197 "(5.00mm)								ul				다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.453 "(11.50mm)												25 옴	2.5 a
B72650M0111K072	0.9300	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)					표면 표면, MLCV	3225 (8063 메트릭)					1750 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000							115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	400 a	3.6J
B72207S0600K111	0.4100	RFQ	5	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)					구멍을 구멍을	7mm			B72207S		480 pf @ 1 kHz		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500							60 v	85 v	90 v	100 v	110 v	1.2 ka	4.8J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²