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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	등급	응용 응용	리드 리드	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	기술	승인 승인	커패시턴스 @ 주파수	두께 (최대)	회로 회로	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	현재 - 최대	전압 - 최대	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재- it (it)	지름	전압 - 클램핑	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게	저항 -25 ° C (유형)	r @ 25 ° C	현재 - 상태 정상 최대	r @ current
B57238S0309M000	1.5400	RFQ	1	epcos -tdk 전자 장치	S238	대부분	활동적인	± 20%																	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500						0.630 "(16.00mm)													3 옴
B57213P0509M301	1.1200	RFQ	10	epcos -tdk 전자 장치	p13	대부분	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)								-					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500						0.571 "(14.50mm)													5 옴	6 a	106 Mohms
B72220Q321K502	0.7796	RFQ	4911	epcos -tdk 전자 장치	에너지 Q	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	방사형		B72220Q			950 pf @ 1 kHz		1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72220Q321K502	귀 99	8533.40.4000	3,000								320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	15 ka	255J
B72207S0750K111	0.4100	RFQ	75	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	7mm		B72207S			430 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500								75 v	100 v	108 v	120 v	132 v	1.2 ka	5.9J
B72214S1170K152	0.4400	RFQ	2087	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm		B72214S			8.2 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000								17 v	20 v	24.3 v	27 v	29.7 v	1 ka	5J
B72540V0500K062	-	RFQ	7882	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-						표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)							1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	800 a	5.6J
B59955C0120A070	1.7100	RFQ	288	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q200		0.197 "(5.00mm)	0.532 "dia x 0.138"t (13.50mm x 3.50mm)	0.669 "(17.00mm)	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	세라믹			ur		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500		5.5 a	30V	850 MA	1.7 a													800 Mohms
B57364S0300M000	2.3600	RFQ	341	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)								-					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	250						0.827 "(21.00mm)													30 옴	6 a
B72500D0160H060	0.3500	RFQ	18	epcos -tdk 전자 장치	고속	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)					5 PF @ 1 MHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000									16 v	65 v				-
B57364S2209A2	-	RFQ	2569	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)								CQC, UL, VDE					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	1,000						0.827 "(21.00mm)													2 옴	12 a
B72530V1170K062	-	RFQ	4681	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-						표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)									-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000														-
B88069X3881T502	2.3900	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	A81	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 20%							구멍을 구멍을	축 축									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8543.70.9860	500	2														75 v	20000a (20ka)	아니요
B59219J0130A020Z15	-	RFQ	8606	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	활동적인	± 25%				0.394 "(10.00mm)								ur					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	500						-													100 옴
B72724D0200A062	0.6400	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0612 (1632 메트릭)					56 PF @ 1 MHz		4		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000									22 v	25 v			30 a	-
B72510T0250K072	0.1264	RFQ	7358	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-						표면 표면, MLCV	0805 (2012 5)							1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	12,000								25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	80 a	0.3J
B72590P5050S460	-	RFQ	5694	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)							1		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	CT0402S5ACC4G	귀 99	8533.40.4000	10,000														-
B72532V1140S262	-	RFQ	6814	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-						-	-									-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000														-
B72210S0151K151	0.4800	RFQ	2	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S			430 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,500								150 v	200 v	216 v	240 v	264 v	2.5 ka	24J
B72220R2131K101	1.8800	RFQ	280	epcos -tdk 전자 장치	Thermofuse ™, NT	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						구멍을 구멍을	23mm		B72220R			1850 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77241	귀 99	8533.40.4000	150								130 v	170 v	184.5 v	205 v	225.5 v	10 ka	100J
CN1210L8G	-	RFQ	2822	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-						표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)		CN1210					1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8533.40.4000	3,000								8 v	11 v	12.75 v	15 v	17.25 v	400 a	1J
B88069X3971B502	1.1471	RFQ	6965	epcos -tdk 전자 장치	T33	쟁반	활동적인	-							구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)									다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	3														200 v	1000a (10ka)	예
Z62000Z2310Z18	1.6400	RFQ	190	epcos -tdk 전자 장치	G14/20	대부분	활동적인				범용				구멍을 구멍을	20mm		Z62000Z2310	GDT, MOV				1	20mm	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	750							1150V (1.15kV)
B72207S0500K101	0.4800	RFQ	35	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	7mm		B72207S			530 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								50 v	65 v	73.8 v	82 v	90.2 v	1.2 ka	4.2J
B72232B0421K001	19.8600	RFQ	7331	epcos -tdk 전자 장치	Highe	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)						섀시 섀시	디스크에 디스크에 있습니다		B72232B			1300 PF @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10								420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	25 ka	600J
B72500E0140S260	0.3600	RFQ	11	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)					120 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000								14 v	18 v	20.83 v	24.5 v	28.18 v	30 a	0.2J
B72540V0250K062	-	RFQ	5634	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)						표면 표면, MLCV	2220 (5750 5)					5000 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	1.2 ka	9.6J
B72214S2301K551	0.6000	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm		B72214S			400 pf @ 1 kHz		1		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000								300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	125J
B72214S2321K505	0.2948	RFQ	2005	epcos -tdk 전자 장치	고급의	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm		B72214S			370 pf @ 1 kHz		1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S2321K505	귀 99	8533.40.4000	1,000								320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	6 ka	136J
B72214U2301K505	0.2563	RFQ	5184	epcos -tdk 전자 장치	Advanced-MP, S14	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)						구멍을 구멍을	14mm		B72214U			485 pf @ 1 kHz		1		-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214U2301K505	귀 99	8533.40.4000	3,000								300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	140J
B57364S0160M000	2.3600	RFQ	858	epcos -tdk 전자 장치	S364	대부분	활동적인	± 20%				0.295 "(7.50mm)								-					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.8070	250						0.827 "(21.00mm)													16 옴	4 a

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²