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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	특징	기본 기본 번호	커패시턴스 @ 주파수	회로 회로	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	극의 극의	AC 볼트	dc 볼트	바리스터 바리스터 (전압)	Varistor 유형 (전압)	Varistor 최대 (전압)	현재 - 서지	에너지	전압 -dc c 오버 (nom)	임펄스 임펄스 전류 (8/20µs)	짧게 짧게
B72225S4581K101	2.8175	RFQ	5360	epcos -tdk 전자 장치	슈페리어, S25	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	27.5mm		B72225S	830 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	S25K580E4R12	귀 99	8533.40.4000	100		580 v	780 v	846 v	940 v	1.034 kV	20 ka	800J
B72214S0111K101	0.5100	RFQ	23	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	1000 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		115 v	150 v	162 v	180 v	198 v	4.5 ka	30J
B72207S0950K101	0.4800	RFQ	3	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	335 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		95 v	125 v	135 v	150 v	165 v	1.2 ka	7.6J
B72210P2381K903	0.3366	RFQ	1889	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210p	230 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210P2381K903	귀 99	8533.40.4000	1,000		385 v	505 v	558 v	620 v	682 v	3.5 ka	82J
B72500E0140K070	0.0902	RFQ	3843	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200, e	테이프 & tr (TR)	활동적인				-					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	16,000
B72214T2301K196V87	-	RFQ	2404	epcos -tdk 전자 장치	고급의	쟁반	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214T	400 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B72214T2301K196V87	귀 99	8533.40.4000	1		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	6 ka	125J
B72590P8200S060	0.4200	RFQ	4	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0402 (1005 메트릭)			4.7 pf @ 1 MHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	10,000		20 v	24 v	99 v	100 v	110 v		-
B72220W2271K101	1.9700	RFQ	15	epcos -tdk 전자 장치	Thermofuse ™, NT	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	23mm		B72220W	850 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77237	귀 99	8533.40.4000	150		275 v	350 v	387 v	430 v	473 v	10 ka	215J
B72214T2111K101	-	RFQ	7769	epcos -tdk 전자 장치	자동차, AEC-Q200	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214T		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214T2111K101	귀 99	8533.40.4000	1								-
B72210S2301K162	0.5500	RFQ	955	epcos -tdk 전자 장치	고급의	컷 컷 (CT)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm	-	B72210S	200 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	3.5 ka	60J
B72214P2421K351	1.3100	RFQ	238	epcos -tdk 전자 장치	MP	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	구멍을 구멍을	14mm	-	B72214p	355 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	6 ka	190J
B72220U3381K501	2.8800	RFQ	100	epcos -tdk 전자 장치	우수한	대부분	활동적인		-	구멍을 구멍을	20mm	-	B72220U			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-77603	귀 99	8533.40.4000	100		380 v						-
B72214S0301K303	0.2313	RFQ	2701	epcos -tdk 전자 장치	기준	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14mm		B72214S	400 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72214S0301K303	귀 99	8533.40.4000	3,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	4.5 ka	76J
B72207S0300K161	0.1307	RFQ	5956	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	7mm		B72207S	1200 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72207S0300K161TR	귀 99	8533.40.4000	1,500		30 v	38 v	42.3 v	47 v	51.7 v	250 a	2J
B88069X3030C253	2.0000	RFQ	996	epcos -tdk 전자 장치	T30	대부분	활동적인	± 20%		사용자 사용자	실린더 실린더 없음, 3 터미널					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	2,500	3								72 v	1000a (10ka)	아니요
B88069X2710B502	1.1471	RFQ	5807	epcos -tdk 전자 장치	T83	대부분	활동적인	± 20%		구멍을 구멍을	축 축 축, 3 실린더 (방사형 벤드)					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8536.30.8000	500	3								260 v	1000a (10ka)	아니요
B72530H1170K062	-	RFQ	6650	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	1210 (3225 메트릭)			1800 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	3,000		17 v	22 v	24.3 v	27 v	29.7 v	400 a	1.7J
B72500T0080L060	-	RFQ	1288	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	0603 (1608 메트릭)			150 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	4,000		8 v	11 v	12.75 v	15 v	17.25 v	30 a	0.1J
B72547E3200K054	-	RFQ	5384	epcos -tdk 전자 장치	SHCV	상자	쓸모없는		-	구멍을 구멍을	방사형, 디스크	-			1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		495-B72547E3200K054	귀 99	8533.40.4000	4,000								-
B72225S4551K101	4.5000	RFQ	873	epcos -tdk 전자 장치	슈페리어, S25	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	27.5mm		B72225S	1500 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	100		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	20 ka	780J
B72650M0301K093	0.9400	RFQ	12	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면, MLCV	2-SMD, J-LEAD			45 PF @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	1,000		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	400 a	9.6J
B72220S3171K101	0.8169	RFQ	1629	epcos -tdk 전자 장치	우수한	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	20mm		B72220		1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		175 v	225 v	243 v	270 v	297 v	12 ka	180J
B72214P2351K101	0.6300	RFQ	14	epcos -tdk 전자 장치	MP	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16.5mm		B72214p		1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	250		350 v	460 v	504 v	560 v	616 v	6 ka	165J
B72520V0250K072	-	RFQ	4960	epcos -tdk 전자 장치	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	표면 표면, MLCV	1206 (3216 메트릭)				1	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	8,000		25 v	31 v	35.1 v	39 v	42.9 v	200a	1J
B72210S0551K392	0.4430	RFQ	4262	epcos -tdk 전자 장치	기준	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	120 pf @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S0551K392TB	귀 99	8533.40.4000	3,000		550 v	745 v	819 v	910 v	1.001 kv	2.5 ka	60J
B72210S2321K161	0.3068	RFQ	6957	epcos -tdk 전자 장치	고급의	테이프 & t (TB)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	디스크 10mm		B72210S	185 PF @ 1 kHz	1	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	495-B72210S2321K161TB	귀 99	8533.40.4000	1,000		320 v	420 v	459 v	510 v	561 v	3.5 ka	67J
B72220T2301K101	-	RFQ	6224	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	방사형, 3 -3 리드	열 열	B72220T	580 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	500		300 v	385 v	423 v	470 v	517 v	10 ka	250J
B72250L0421K102	20.4838	RFQ	7709	epcos -tdk 전자 장치	Highe, LS50	대부분	활동적인		-25 ° C ~ 85 ° C	볼트 볼트	57mm		B72250L	3300 pf @ 1 kHz		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8533.40.4000	30		420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	75 ka	1500J
B88069X7750B502	-	RFQ	1890	epcos -tdk 전자 장치	-	대부분	활동적인									-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T25A350X	귀 99	8536.30.8000	500
B72214T2421K105	0.8304	RFQ	3784	epcos -tdk 전자 장치	고급 고급	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	3-sip	열 열	B72214T	290 pf @ 1 kHz	1	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	T14K420E2	귀 99	8533.40.4000	980		420 v	560 v	612 v	680 v	748 v	6 ka	180J

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

회로 회로 (2856)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²